使用了微透鏡陣列的曝光裝置及光學構件制造方法及圖紙

本發明專利技術提供一種能夠防止異物進入到微透鏡陣列與基板之間并且能夠防止由于基板的異常接近和上述異物導致對微透鏡造成傷痕的曝光裝置和光學構件。在透明基板（1）的上方配置有形成了多個微透鏡（3a）的微透鏡陣列（3），該微透鏡陣列（3）在其端面（6）與掩模（4）接合。在掩模（4），在微透鏡陣列（3）的兩側接合有對準標記臺（12），在該對準標記臺（12）的與基板（1）的相向面形成有對準標記（11）。對準標記臺（12）與基板（1）之間的間隔小于微透鏡陣列（3）與基板（1）的間隔。

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及使用了微透鏡陣列(microlens array)的曝光裝置及光學構件。
技術介紹
以往,使用了微透鏡陣列的曝光裝置作為激光退火(laser annealing)裝置而使用，并且作為在抗蝕劑膜上對掩模圖像進行投影曝光并利用之后的顯影處理形成抗蝕劑圖案的光刻用的曝光裝置而使用，上述激光退火裝置是對非晶硅膜照射激光，利用激光的熱使非晶硅膜熔融、凝固，由此將非晶硅膜改性為多晶硅膜的裝置。作為使用了該微透鏡陣列的曝光裝置，有專利文獻I中所公開的曝光裝置。在該專利文獻I所公開的曝光裝置中，如圖4所示，在工作臺100上載置有被曝光體101,在該被曝光體101的上方配置有光掩模(photomask)102和微透鏡陣列106。而且，來自光源111的曝光光線被準直透鏡110聚光并照射于光掩模102。光掩模102是在透明基板103的上表面形成了具有開口 105的遮光膜104的光掩模,在透明基板103的下表面形成有許多二維地進行配置的微透鏡107，構成微透鏡陣列106。在該遮光膜104的開口 105中透射了的曝光光線透射微透鏡陣列106的微透鏡107而被聚束，并成像在被曝光體101上。光掩模102和微透鏡陣列106被掩模臺108支承。圖5是表示以往的另一使用了微透鏡陣列的投影曝光型曝光裝置的剖面圖。在透明基板I上，例如，形成有光刻用的抗蝕劑膜2，將該基板I輸送至微透鏡曝光裝置的下方。在以往的微透鏡曝光裝置中，設置有將許多微透鏡3a 二維地配置而形成的微透鏡陣列3，在該微透鏡陣列3的上方配置有掩模4。微透鏡陣列3由透明石英基板形成，在該微透鏡陣列3的透明石英基板加工有微透鏡3a。掩模4是在與微透鏡陣列3相同材質的透明基板的下表面接合Cr膜5而構成的，在該Cr膜5形成有用于使激光通過的孔5a。該掩模4中的孔5a以外的部分被Cr膜5覆蓋，成為阻止激光通過的遮光部分。微透鏡陣列3的兩端部以朝向掩模4延伸的方式折彎，該各端部的端面與其上方的掩模4接合。由此，微透鏡陣列3和掩模4被固定。在像這樣構成的以往的微透鏡曝光裝置中，當將曝光用的激光照射在掩模4上時，通過了掩模4的孔5a的激光入射至微透鏡陣列3的各微透鏡3a，由各微透鏡3a聚束于基板I上的抗蝕劑膜2。再有，在該孔5a形成有要投影的圖案，在激光在孔5a中透射并照射于抗蝕劑膜2時，上述圖案被投影于抗蝕劑膜2。在以往的使用了微透鏡陣列的投影曝光型曝光裝置中，使用圖6所示的調整用基板Ia來進行基板I與掩模4以及微透鏡陣列3的位置對準。在掩模4的下表面的未配置有微透鏡陣列3的兩端部形成有對準標記(alignment mark) 11,在該對準標記11的下方、進而透明的調整用基板Ia的下方配置有攝像機10。而且，在調整用基板Ia上，在與該對準標記11相向的位置設置有透明的臺30，在該透明臺30上形成有標記31。而且，利用攝像機10進行掩模4和微透鏡陣列3相對于調整用基板Ia的定位，以使掩模4的下表面的對準標記11與臺30上的標記31在同一視場內一致。這樣，在調整用基板Ia處，進行掩模4與基板Ia的位置對準，由此進行生產基板I與掩模4之間的位置調整。現有技術文獻 專利文獻 專利文獻1:日本特開2009 - 277900號公報。
技術實現思路
專利技術要解決的課題 在上述以往的曝光裝置中，由于均在掩模4接合有微透鏡陣列3，所以微透鏡陣列3的微透鏡面最接近于基板I的表面。因此，在發生了間隙管理的異常的情況下，首先，微透鏡面與基板表面接觸，所以對微透鏡造成傷痕的可能性極高。此外，微透鏡陣列3與基板1(實際為抗蝕劑膜2)之間的距離為約200// m。這樣，由于微透鏡陣列3與基板I之間的間隔短，所以在利用微透鏡陣列3對基板I進行曝光時異物進入到基板I上的情況下，存在由于異物導致對微透鏡陣列3造成傷痕的可能性。該微透鏡陣列3是微透鏡陣列曝光裝置中的極其昂貴的部件，此外，當對微透鏡陣列3造成傷痕時，只有將其更換成新品的處理方法。因此，迫切需要用于防止異物進入到基板I與微透鏡陣列3之間的對策。可是，在以往的曝光裝置中，不能防止異物混入到該基板I與微透鏡陣列3之間。此外，以往，通過使用調整用基板Ia來進行掩模4與調整用基板Ia的位置對準，從而間接地進行與生產基板I的位置對準，其操作繁雜。本專利技術是鑒于這樣的問題而完成的，其目的在于提供一種能夠防止異物進入到微透鏡陣列與基板之間并能夠防止由于基板的異常接近和上述異物導致對微透鏡造成傷痕的使用了微透鏡陣列的曝光裝置和光學構件。用于解決課題的方案 本專利技術提供一種使用了微透鏡陣列的曝光裝置，其特征在于，具有:基板臺，支承曝光對象的透明基板；微透鏡陣列，配置在該基板臺的上方，形成有多個微透鏡；遮光掩模，配置在該微透鏡陣列的上方，并被固定于所述微透鏡陣列；曝光光源；光學系統，將從該曝光光源射出的曝光光線引導至所述遮光掩模，利用所述微透鏡陣列將透射了所述遮光掩模的曝光光線成像于所述基板臺上的基板；對準標記臺，配置在所述掩模的與所述基板的相向面；對準標記，形成在該對準標記臺的與所述基板的相向面；以及標記感測單元，配置在所述透明基板的下方，將透射了所述透明基板的光照射至所述對準標記，在同一視場內感測設置于所述透明基板的基板標記和所述對準標記，所述對準標記臺與所述基板的間隔小于所述微透鏡與所述基板的間隔。在該曝光裝置中，能夠構成為所述對準標記臺在與所述基板的相向面形成有凹部或階梯差，所述對準標記形成在所述凹部或階梯差低的位置。進而，例如，所述微透鏡陣列與所述透明基板能相對移動，所述對準標記成對地形成在所述掩模的與所述移動方向正交的方向的兩端部。本專利技術提供一種光學構件，其特征在于，具有:微透鏡陣列，使曝光光線成像于曝光對象的基板，對所述基板進行曝光；遮光掩模，與該微透鏡陣列平行地被固定于所述微透鏡陣列；對準標記臺，配置在該掩模的配置了所述微透鏡陣列的一側的面的、與所述微透鏡陣列相比的靠外側；以及對準標記，形成于該對準標記臺的頂端面，所述對準標記臺的頂端面與所述掩模之間的距離大于所述微透鏡陣列的頂端面與所述掩模之間的距離。在該光學構件中，能夠構成為在所述對準標記臺的頂端面形成有凹部或階梯差，所述對準標記形成在所述凹部或階梯差低的位置。專利技術效果 根據本專利技術，由于對準標記臺最靠近于基板，所以即使發生了間隙管理的異常、或異物侵入基板上，基板或異物接觸的也不是微透鏡陣列，而是對準標記臺。因此，防止由于與基板或異物的接觸導致對微透鏡陣列造成傷痕。此外，在本專利技術中，不需要在掩模與基板的位置對準中使用調整用基板，能夠對生產基板在曝光處理中進行位置對準。附圖說明圖1是表示本專利技術實施方式的曝光裝置的剖面圖。圖2是表示本專利技術另一實施方式的曝光裝置的剖面圖。圖3是表示掩模的下表面的圖。圖4是表示以往的曝光裝置的圖。圖5是表示以往的另一曝光裝置的剖面圖。圖6是表示以往的位置對準方法的剖面圖。具體實施例方式以下，參照附圖對本專利技術的實施方式具體地進行說明。圖1是表示本專利技術第一實施方式的使用了微透鏡陣列的曝光裝置的縱剖面圖。透明基板I被輸送到合適的基板臺(未圖示)上，并被該基板臺支承。在透明基板I上，例如，形成有光刻用的抗蝕劑膜2，從本實施方式的微透鏡曝光裝置向該抗蝕劑膜2照射曝光光線本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】2010.08.30 JP 2010-1928611.一種使用了微透鏡陣列的曝光裝置，其特征在于，具有:基板臺，支承曝光對象的透明基板；微透鏡陣列，配置在該基板臺的上方，形成有多個微透鏡；遮光掩模，配置在該微透鏡陣列的上方，并被固定于所述微透鏡陣列；曝光光源；光學系統，將從該曝光光源射出的曝光光線引導至所述遮光掩模，利用所述微透鏡陣列將透射了所述遮光掩模的曝光光線成像于所述基板臺上的基板；對準標記臺，配置在所述掩模的與所述基板的相向面；對準標記，形成在該對準標記臺的與所述基板的相向面；以及標記感測單元，配置在所述透明基板的下方，將透射了所述透明基板的光照射至所述對準標記，在同一視場內感測設置于所述透明基板的基板標記和所述對準標記，所述對準標記臺與所述基板的間隔小于所述微透鏡與所述基板的間隔。2.根據權利要求1所述的使用了微透鏡陣列的曝光裝...

【專利技術屬性】
技術研發人員：水村通伸，新井敏成，
申請(專利權)人：株式會社V技術，
類型：
國別省市：