本文揭示用于處理基板的設備。在一些實施例中，一種基板支架可包括：基板支架，所述基板支架具有用于支撐基板的支撐表面，所述基板支架具有中心軸線；第一電極，所述第一電極安置于所述基板支架內以在將基板安置于所述支撐表面上時將RF功率提供至所述基板；內部導體，所述內部導體圍繞所述第一電極的與所述支撐表面相對的表面的中心而耦接至所述第一電極，其中所述內部導體為管狀，并在遠離所述基板支架的所述支撐表面的方向上平行于所述中心軸線且圍繞所述中心軸線從所述第一電極延伸；外部導體，所述外部導體圍繞所述內部導體而安置；及外部介電層，所述外部介電層安置于所述內部導體與所述外部導體之間，所述外部介電層使所述外部導體與所述內部導體電隔離。所述外部導體可耦接至電接地。
【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術的實施例大體而言關于基板處理裝置。
技術介紹
隨著器件的關鍵尺寸持續縮小，原本在大尺寸下可能無關或不太重要的因素在較小尺寸下可變得關鍵。專利技術人已提供在處理基板時可促進改進的處理結果的改進的設備。
技術實現思路
本文揭示用于處理基板的設備。在一些實施例中，一種基板支架可包括:基板支架，所述基板支架具有用于支撐基板的支撐表面，所述基板支架具有中心軸線；第一電極，所述第一電極安置于所述基板支架內以在將基板安置于所述支撐表面上時將RF功率提供至基板；內部導體，所述內部導體圍繞所述第一電極的與支撐表面相對的表面的中心耦接至所述第一電極，其中所述內部導體為管狀，且在遠離基板支架的支撐表面的方向上平行于中心軸線且圍繞中心軸線從第一電極延伸；外部導體，所述外部導體圍繞所述內部導體而安置；以及外部介電層，所述外部介電層安置于所述內部導體與所述外部導體之間，所述外部介電層使所述外部導體與所述內部導體電隔離。在一些實施例中，所述外部導體可耦接至電接地。在一些實施例中，DC能量可經由沿中心軸線延伸的第二導體而提供至第二電極。在一些實施例中，AC能量可經由關于中心軸線對稱地安置的多個第三導體而提供至一個或多個加熱器電極。在一些實施例中，第二導體及第三導體可安置于所述內部導體的軸向開口中。在一些實施例中，一種等離子體處理設備可包括:處理腔室，所述處理腔室具有內部容積，其中基板支架安置于所述內部容積中，所述基板支架具有支撐表面及中心軸線；第一電極，所述第一電極安置于所述基板支架中以在基板存在于所述基板支架上時將RF功率提供至基板；內部導體，所述內部導體的第一端圍繞所述第一電極的背對所述支撐表面的表面的中心而耦接至所述第一電極，其中所述內部導體為管狀，并平行于所述中心軸線且圍繞所述中心軸線而遠離所述第一電極延伸；第一導體，所述第一導體接近于所述內部導體的與所述第一端相對的第二端而耦接至所述內部導體，所述第一導體從所述中心軸線朝向從所述中心軸線離軸安置的RF功率源側向延伸，所述RF功率源用以將RF功率提供至所述第一電極；外部導體，所述外部導體圍繞所述內部導體而安置；以及外部介電層，所述外部介電層安置于所述內部導體與所述外部導體之間，所述外部介電層使所述外部導體與所述內部導體電隔離。下文描述本專利技術的其它及進一步的實施例。附圖說明可通過參考在附圖中描繪的本專利技術的說明性實施例來理解上文簡要概述且在下文更詳細論述的本專利技術的實施例。然而，應注意，附圖僅說明本專利技術的典型實施例，且因此不應認為限制本專利技術的范圍，因為本專利技術可容許其它同等有效的實施例。圖1描繪根據本專利技術的一些實施例的處理腔室的示意性側視圖。圖2描繪根據本專利技術的一些實施例的基板支架的示意性側視圖。圖3描繪根據本專利技術的一些實施例的圍繞中心軸線布置的多個導體的俯視橫截面圖。圖4描繪根據本專利技術的一些實施例的耦接至基板支架的機構的示意性側視圖。為便于理解，已盡可能使用相同標號來標示各圖中共同的相同元件。各圖并非是按比例繪制，且可能為清楚起見而加以簡化。可預期，一個實施例的元件及特征可有益地并入到其它實施例中而無需進一步敘述。具體實施例方式本文揭示了用于處理基板的設備。專利技術人已發現，具有不對稱電饋結構以將電功率提供至安置于基板支架中的電極的基板支架可造成處理不均勻性，例如，諸如安置于基板支架頂上的基板上的蝕刻速度及蝕刻尺寸不均勻性。由此，專利技術人已提供一種對稱電饋結構，所述對稱電饋結構可并入到基板支架中以有利地改進蝕刻速度及/或蝕刻尺寸均勻性。在一些實施例中，本專利技術的設備可通過以下操作來有利地減小沿基板表面的電磁偏斜:通過將電功率經由相對于基板支架的中心軸線對稱地布置的一個或多個導體傳導至基板支架的各組件，及/或通過提供用于限定或均勻地分布電場及/或磁場的一個或多個元件。圖1描繪可用以實踐如本文所論述的本專利技術實施例的種類的說明性蝕刻反應器100的示意圖。反應器100可單獨利用或更通常地作為集成式半導體基板處理系統或多腔集成設備(諸如CENTURA 集成式半導體基板處理系統，可從Applied Materials (應用材料)公司(Santa Clara,加利福尼亞)購得)的處理模塊而利用。合適蝕刻反應器100的實例包括ADVANTEDGE 系列蝕刻反應器(諸如AdvantEdge S或AdvantEdge HT)> DPS*系列蝕刻反應器(諸如DPS 1 ‘、DPS* I〗、DPS AE、DPS HT、DPS G3多蝕刻器)或可從Applied Materials (應用材料)公司購得的其它蝕刻反應器。也可使用其它蝕刻反應器及/或多腔集成設備，包括其它制造商的蝕刻反應器及/或多腔集成設備。反應器100包含:處理腔室110，所述處理腔室110具有基板支架116，基板支架116安置于形成在導電主體(壁)130內的處理容積117內；以及控制器140。對稱電饋通件150可被提供以將電能耦接至安置于基板支架116內的一個或多個電極，如下文所論述地。腔室110可提供有基本上平坦的介電頂板120。或者，腔室110可具有其它類型的頂板，例如圓頂形頂板。包含至少一個感應線圈元件112的天線安置于頂板120上方(圖示兩個共軸元件112)。感應線圈元件112經由第一匹配網絡119耦接至等離子體功率源118。等離子體功率源118通常可能能夠產生高達3000W(在50kHz至13.56MHz范圍中的可調諧頻率下)。如圖1中所說明地，基板 支架116可包括多個組件，諸如電極、加熱器等，所述組件可通過安置于基板支架116下方的一個或多個機構148來操作。舉例而言，且如圖1中所示，所述一個或多個機構可經由安置穿過導電主體130的開口 115而耦接至基板支架116。波紋管152可被提供以促進維持處理腔室的內部與處理腔室外部之間的密封，同時允許基板支架相對于處理腔室移動。舉例而言，波紋管152可隨著基板支架116在處理容積117內被抬高或降低而壓縮或膨脹。所述一個或多個機構148可包括提升機構154，所述提升機構154可用以相對于安置在基板支架116上方的一個或多個等離子體產生元件(諸如感應線圈元件112)來抬高及降低基板支架116。下文將參照圖4進一步詳細描述所述一個或多個機構148。圖2描繪根據本專利技術的一些實施例的基板支架116及對稱電饋結構150的示意性側視圖。如圖2中所說明的，基板支架可包括具有中央開口 202的基底200。中央開口 202可(例如)用以提供穿過其中的一個或多個導體，以耦接來自安置于基板支架116下方的所述一個或多個機構148的射頻(RF)功率、交流電(AC)功率或直流電(DC)功率中的一個或多個。基底200可具有突出部分204以便于將基底200耦接至處理腔室的其它組件。基板支架116可包括安置于基板支架116內的第一電極206，以在將基板(諸如基板114 (圖1中所示))安置于基板支架116上時將RF功率提供至所述基板。第一電極206可包括中心軸線208。內部導體210可耦接至所述第一電極206。內部導體210可為圓柱形管，所述圓柱形管的中心軸線與中心軸線208對準，使得內部導體210可以對稱方式將RF能量提供至第一電極206。內部導體210大致平行于中心軸線208且圍繞中心軸線本文檔來自技高網...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】2010.10.22 US 12/910,5471.一種基板支架，所述基板支架包含: 基板支架，所述基板支架具有用于支撐基板的支撐表面，所述基板支架具有中心軸線.第一電極，所述第一電極安置于所述基板支架內以在將基板安置于所述支撐表面上時將RF功率提供至所述基板； 內部導體，所述內部導體圍繞所述第一電極的與所述支撐表面相對的表面的中心而耦接至所述第一電極，其中所述內部導體為管狀，且在遠離所述基板支架的所述支撐表面的方向上平行于所述中心軸線且圍繞所述中心軸線從所述第一電極延伸； 外部導體，所述外部導體圍繞所述內部導體而安置；以及 外部介電層，所述外部介電層安置于所述內部導體與所述外部導體之間，所述外部介電層使所述外部導體與所述內部導體電隔離。2.如權利要求1所述的基板支架，其特征在于，所述外部導體耦接至電接地。3.如權利要求2所述的基板支架，其特征在于，所述基板支架進一步包含: 導電平板，所述導電平板耦接至所述外部導體。4.如權利要求3所述的基板支架，其特征在于，所述基板支架進一步包含: 介電層，所述介電層安置于所述第一電極與所述導電平板之間。5.如權利要求4所述的基板支架，其特征在于，所述基板支架進一步包含: 第一導體，所述第一 導體在所述第一電極下方耦接至所述內部導體，所述第一導體從所述內部導體側向延伸至從所述中心軸線離軸安置的RF功率源，所述RF功率源用以將RF功率提供至所述第一電極，其中所述導電平板安置于所述第一電極與所述第一導體之間。6.如權利要求5所述的基板支架，其特征在于，所述基板支架進一步包含: 接地層，所述接地層圍繞所述第一導體而安置；以及 第二介電層，所述第二介電層安置于所述第一導體與所述接地層之間以使所述接地層與所述第一導體電隔離。7.如權利要求2所述的基板支架，其特征在于，所述基板支架進一步包含: 內部介電層，所述內部介電層安置于所述內部導體內。8.如權利要求7所述的基板支架，其特征在于，所述基板支架進一步包含: 第二電極，所述第二電極在所述第一電極上方安置于介電層中，以在將DC能量供應至所述第二電極時靜電地保持安置于所述基板支架上的基板。9.如權利要求8所述的基板支架，其特征在于，所述基板支架進一步包含: 第二導體，所述第二導體沿所述中心軸線在中心安置于所述內部介電層中，且將所述第二電極耦接至DC功率源。10.如權利要求8所述的基板支架，其特征在于，所述基板支架進一步包含: 多個第三導體，所述多個第三導體安置于所述內部介電層中，其中所述多個第三導體關于所述中心軸線對稱地安置；以及 多個加熱器電極，所述多個加熱器電極安置在所述第一電極與所述支撐表面之間，以在基板存在于所述基板支架上時響應于將AC能量施加至所述多個加熱器電極而將熱量提供至所述基板，其中所述多個第三導體中的各個第三導體耦接于所述多個加熱器電極中的對應加熱器電極。11.如權利要求10所述的基板支架，其特征在于，所述加熱器電極安置于多個區域中。12.如權利要求10所述的基板...
【專利技術屬性】
技術研發人員：X·林，D·A·小布齊伯格，X·周，A·恩蓋耶，A·希內爾，
申請(專利權)人：應用材料公司，
類型：
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。