【技術實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術涉及改進的石墨坩堝。
技術介紹
生長硅單晶的裝置一般是采用保持原料硅熔體的石英坩堝，其中該坩堝被石墨坩堝包圍，該石墨坩堝用來支撐石英坩堝并實現(xiàn)對石英坩堝進行均勻加熱，但是現(xiàn)有的石墨坩堝由于結構簡單，存在著傳熱效率低，加熱緩慢，加熱時間長，能耗消耗大，浪費資源等缺點，不能滿足使用者的使用需求。因此，應該提供一種新的技術方案解決上述問題。
技術實現(xiàn)思路
本專利技術的目的是:針對上述不足，提供一種結構合理、傳熱效率高、加熱迅速的改進的石墨樹禍。為實現(xiàn)上述目的，本專利技術采用的技術方案是:改進的石墨坩堝，包括坩堝本體，所述坩堝本體的側表面設有凹槽，所述坩堝本體的底部設有一層保溫層，所述坩堝本體的底部設有排氣孔。所述凹槽間隔均勻設置于坩堝本體的側表面。所述排氣孔至少為I個。所述排氣孔為2個。本專利技術改進的石墨坩堝，坩堝本體的側表面設有凹槽，設置凹槽是通過增加石墨坩堝外表面積來提高傳熱面積，可使石墨坩堝的外表面積增加一倍，達到加大傳熱量，快速加熱的目的。坩堝本體的底部設有一層保溫層，它對坩堝本體的側面和底部均起到保溫作用，使坩堝內部的材料溫度達到一致，從而提高坩堝內材料產品的品質。坩堝本體的底部設有排氣孔，其可以排出坩堝內部產生的有害氣體，避免其發(fā)生變形，延長其使用壽命。本專利技術的優(yōu)點是:結構合理、傳熱效率高、加熱迅速、使用壽命久。附圖說明下面結合附圖和具體實施方式對本專利技術作進一步詳細敘述。圖1為本專利技術結構示意圖。其中:1、坩堝本體，2、凹槽，3、保溫層，4、排氣孔。具體實施例方式如圖1所示，本專利技術改進的石墨坩堝，包括坩堝本體1，坩堝本體I的側...
【技術保護點】
改進的石墨坩堝，包括坩堝本體，其特征在于：所述坩堝本體的側表面設有凹槽，所述坩堝本體的底部設有一層保溫層，所述坩堝本體的底部設有排氣孔。
【技術特征摘要】
1.進的石墨坩堝，包括坩堝本體，其特征在于:所述坩堝本體的側表面設有凹槽，所述坩堝本體的底部設有一層保溫層，所述坩堝本體的底部設有排氣孔。2.根據(jù)權利要求1所述的改進的石墨坩堝，其特征...
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