燒成用機架制造技術

本發明專利技術涉及一種用于多層燒成電子陶瓷元件的燒成用機架，其利用承燒板保持裝置在垂直方向上以多層方式保持多張平板狀承燒板。該承燒板保持裝置由選自含有0.01—30%的Si的Si－SiC、重結晶SiC、Si3N4－SiCf的任意材質構成，該承燒板保持裝置以露出各平板狀承燒板的外周側面的70—100%的狀態保持各平板狀承燒板。由此成為一種能效和批量生產效率優異，且多層燒成的各層均熱性優異的燒成用機架。

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及一種主要適用于電子陶瓷元件多層燒成的燒成用機架。
技術介紹
通常電子陶瓷元件以如下方式制造:在作為主原料的陶瓷粉末體中添加并混合燒結輔助材料和成形輔助劑之后，通過成形形成未燒成元件，并將該未燒成元件載置于稱為承燒板(setter )的陶瓷制板上裝入燒成爐中，以規定的溫度和氣氛條件控制爐內的同時進行燒成。承燒板通常以多層層疊的方式使用，作為在多層重疊的承燒板之間形成分別形成空間的結構，例如公開了如下結構:如圖9所示般，在上面周緣形成了突起8的托盤上嵌合平板狀承燒板而層疊(專利文獻I)。另外，以如下方式形成的結構也被所知，即:在承燒板自身的上面周緣形成周壁部使其呈皿狀，并層疊該皿狀承燒板，其中該周壁部以確保可耐層積強度的方式形成(專利文獻2)。但是，如圖9所示般，在托盤上完全嵌入承燒板的結構中，承燒板的外周側面被托盤覆蓋。而且當層積承燒板時，爐內氣體的流動因突起部8而受到阻礙，并且最下層承燒板下面的整個面直接或通過托盤與爐體接觸，因此極大地受到來自爐體的熱傳導的影響，所以各層的均熱化困難。例如最下層承燒板中已施行熱處理的電子陶瓷元件與上層中已施行熱處理的電子陶瓷元件相比，存在產品成品率差的問題。另外，如專利文獻2般，當在周圍層積皿狀承燒板時，存在如下問題:爐內氣體的流動因周壁部受到阻礙，而且以確保可耐層積強度的方式形成的周壁部相對承燒板整體所占的重量和體積阻礙了能效和批量生產效率的高效化。現有技術文獻專利文獻專利文獻1:特開2000-74571號公報專利文獻2:特開2009-227527號公報
技術實現思路
專利技術要解決的課題因此本專利技術的目的在于，解決上述現有問題，并且提供一種多層燒成電子陶瓷元件時能效和批量生產效率優異，且多層燒成的各層均熱性優異的燒成用機架。解決課題的方法為解決上述課題的本專利技術燒成用機架，其利用承燒板保持裝置在垂直方向上以多層方式保持多張平板狀承燒板，其特征在于，該承燒板保持裝置由選自含有0.01—30%的Si的S1- SiC、重結晶SiC、Si3N4 - SiC的任意材質構成，該承燒板保持裝置將各平板狀承燒板以使其外周側面的70—100%露出的狀態保持。基于權利要求1的燒成用機架的權利要求2所述的專利技術，其特征在于，承燒板保持裝置具備:多根垂直支柱，其具有承燒板保持機構；下端支撐框架，其用于支撐該垂直支柱下端部；上端支撐框架，其用于支撐該垂直支柱上端部，該承燒板保持機構包括選自形成在垂直支柱內側面的多個凹部或凸部、或者架設在夾著平板狀承燒板而對置的垂直支柱之間的梁中的至少一種。如權利要求3所述，優選地，垂直支柱也可包括構成其4個角的垂直邊的角部垂直支柱、和垂直配置在該角部垂直支柱間的中間垂直支柱。基于權利要求1燒成用機架的權利要求4的專利技術，其特征在于，承燒板保持裝置包括在周邊部具有多個層積用突起的框狀平板構件，并且在保持平板狀承燒板的狀態下以多層方式層疊。基于權利要求1燒成用機架的權利要求5的專利技術，其特征在于，承燒板保持裝置包括:一對直線構件，其具有多個層積用突起且相對置而配置；梁，其架設在各層積用突起的上部凹面間，并且將平板狀承燒板保持在這些梁上的狀態下以多層方式層疊。此外，優選地，當構成承燒板保持裝置的構件由含有0.01-30%的Si的S1- SiC構成時，其化學成分為SiC:70-99%, S1:1一30%，將SiC + Si作為100%時，進一步含有Al:0.01—0.2%、Fe:0.01—0.2%、Ca:0.01—0.2%。如權利要求11所述，優選地，平板狀承燒板的材質也是含有0.01—30%的Si的S1- SiC0另外，優選地，當構成承燒板保持裝置的構件由重結晶SiC構成時，其化學成分為 SiC:99—100%，將 SiC 作為 100% 時，進一步含有 Al:0.01—0.2%、Fe:0.01—0.2%、Ca:0.01—0.2%O另外，當構成承燒板保持裝置的構件由Si3N4 - SiC構成時，其化學成分為SiC:70—80%,Si3N4:20—30%，將 SiC + Si3N4 作為 100% 時，進一步含有 Al:0.1—0.5%,Fe:0.Ι-Ο.5%、Ca:0.01—0.2%ο專利技術的效果本專利技術燒成用機架通過由選自含有0.0l — 30%的Si的Si — SiC、重結晶SiC、Si3N4 - SiC的任意材質構成的承燒板保持裝置，將多張平板狀承燒板以使其外周側面的70—100%露出的狀態保持。由這些材質構成的承燒板保持裝置與一般使用的氧化鋁等相t匕，熱輻射率大，而且使平板狀承燒板的外周側面的70—100%露出，因此能夠將爐內氣氛溫度迅速傳遞至平板狀承燒板上的電子陶瓷元件。從而多層燒成各層的均熱性優異。另外，有這些材質構成的承燒板保持裝置與一般使用的氧化鋁等比較，由于高溫條件下的強度大，因此相應地能夠實現小型輕量化。從而多層燒成電子陶瓷元件時的能效和批量生產效率優異。另外在現有技術中，存在如下問題:當在各承燒板間用突起部形成空間的同時，多層層積承燒板時，以確保可耐層積強度的方式形成的突起部所占的重量和體積阻礙能效和批量生產效率的高效化。但是，如權利要求2的專利技術的燒成用機架，由于具有多根垂直支柱、用于支撐該垂直支柱下端部的下端支撐框架、用于支撐該垂直支柱上端部的上端支撐框架，而且是具有將多張平板狀承燒板在垂直方向上以多層方式保持的承燒板保持機構的結構，因此不需要以確保可耐層積強度的方式形成的突起部，與現有技術相比，能夠實現能效和批量生產效率的高效化。另外在現有技術中，由于當在各承燒板間用突起部形成空間的同時，多層層積承燒板時，最下層承燒板下面的整個面直接或通過托盤與爐體接觸，因此極大地受到來自爐體的熱傳導的影響，因此，例如最下層承燒板中已施行熱處理的電子陶瓷元件與上層中已施行熱處理的電子陶瓷元件相比，存在產品成品率差等各層均熱化困難的問題。但是根據權利要求2的專利技術的燒成用機架，在最下層承燒板的下部面和爐體之間形成有空間，能夠降低來自爐體的熱傳導的影響，并且該承燒板保持機構使各平板狀承燒板外周側面的70—100%從各垂直支柱之間露出。由此，使得對燒結有害的粘合劑分解氣體的排出等爐內氣體的流動難以受到阻礙，并且傳向構成各層的承燒板的熱傳遞變得更均勻，從而能夠實現各層的均熱化。根據權利要求3的專利技術，能夠更加穩定地保持承燒板。另外，特別是根據在中間垂直支柱間架設梁的結構，經由該梁向各層承燒板中央部進行熱傳導，因此能夠實現與受到角部垂直支柱的熱傳導影響的承燒板緣部之間的均熱化。根據權利要求4的專利技術，承燒板保持裝置包括在周邊部具有多個層積用突起的框狀平板構件，并且采用了在保持平板狀承燒板的狀態下以多層方式層疊的結構，因此能夠使承燒板保持裝置的熱容量變小，從而能夠提高多層燒成電子陶瓷元件時的能效和批量生產效率。另外，與爐內氣體的接觸性優異，并且多層燒成的各層均熱性優異。根據權利要求5所述的專利技術，承燒板保持裝置包括:相對置而配置的一對直線構件，其具有多個層積用突起；梁，其架設在各層積用突起上部凹面間，并且采用了在這些梁之上保持平板狀承燒板的狀態下以多層方式層疊的結構，因此能夠得到與權利要求4的專利技術相同的效果。附圖說明圖1是表示第一實施方案的燒成用機架的整體立體圖。圖2本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】2010.07.26 JP 2010-1673111.一種燒成用機架，其利用承燒板保持裝置在垂直方向上以多層方式保持多張平板狀承燒板，其特征在于，該承燒板保持裝置由選自含有0.01-30%的Si的S1- SiC、重結晶SiC、Si3N4 - SiC的任意材質構成，該承燒板保持裝置將各平板狀承燒板以使其外周側面的70—100%露出的狀態保持。2.權利要求1所述的燒成用機架，其特征在于， 承燒板保持裝置具備:多根垂直支柱，其具有承燒板保持機構；下端支撐框架，其用于支撐該垂直支柱下端部；上端支撐框架，其用于支撐該垂直支柱上端部， 該承燒板保持機構包括選自形成在垂直支柱內側面的多個凹部或凸部、或者架設在夾著平板狀承燒板而對置的垂直支柱之間的梁中的至少一種。3.權利要求2所述的燒成用機架，其特征在于，垂直支柱包括構成其4個角的垂直邊的角部垂直支柱、和垂直配置在該角部垂直支柱間的中間垂直支柱。4.權利要求1所述的燒成用機架，其特征在于，承燒板保持裝置包括在周邊部具有多個層積用突起的框狀平板構件，并且在保持平板狀承燒板的狀態下以多層方式層疊。5.權利要求1所述的燒成用機架，其特征在于，承燒板保持裝置包括:一對直線構件，其具有多個層積用突起且相對置而配置；梁，其架設在各層積用突起的上部凹面間，而且將平板狀承燒板保持在這些梁上的狀態下以多層方式層疊。6.權利要求1-4中任一項所述的燒成用機架，其特征在于，構成承燒板保持裝置的構件由S1- SiC...

【專利技術屬性】
技術研發人員：古宮山常夫，崛田啟之，松本信宏，
申請(專利權)人：日本礙子株式會社，NGK阿德列克株式會社，
類型：
國別省市：