一種TFT陣列基板及顯示裝置制造方法及圖紙

本實用新型專利技術實施例提供了一種TFT陣列基板及顯示裝置，涉及顯示領域，可以減少進行構圖工藝的次數，降低工藝復雜度及制作成本。所述TFT陣列基板，包括：設置在基板上的包括柵極的圖案，包括源漏電極的圖案，包括第一電極的圖案，通過一次構圖工藝形成的帶有過孔的柵絕緣層圖案和包括有源層的圖案，其中，所述包括柵極的圖案至少包括柵極和柵極走線，所述柵絕緣層的過孔位于所述柵極走線的上方，所述包括有源層的圖案位于所述柵極，以及所述柵絕緣層的過孔周邊區域的上方。（*該技術在2022年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及顯示領域,尤其涉及一種TFT (Thin FilmTransistor,薄膜場效應晶體管)陣列基板及顯示裝置。
技術介紹
目前,為了實現高分辨率,高開口率以及GOA (Gate Driver onArray,陣列基板行驅動)技術的應用，AD-SDS (Advanced-SuperDimensional Switching,簡稱為 ADS,高級超維場開關)型陣列基板從最初的6次掩膜工藝轉化為7次掩膜工藝。在現有技術中，應用7次掩膜:柵金屬層掩膜，有源層掩膜，柵絕緣層掩膜，第一電極層掩膜，源漏金屬層掩膜，鈍化層掩膜以及第二金屬層掩膜來制作完成陣列基板。上述陣列基板的制作應用了 7次掩膜工藝，應用掩膜工藝次數較多，導致產品的產能下降，且制作成本較高。
技術實現思路
本技術的實施例提供一種TFT陣列基板及顯示裝置，可以減少進行掩膜工藝即構圖工藝的次數，降低工藝復雜度及制作成本。為達到上述目的，本技術的實施例采用如下技術方案:—種TFT陣列基板，包括設置在基板上的包括柵極的圖案，包括源漏電極的圖案，包括第一電極的圖案，還包括:通過一次構圖工藝形成的帶有過孔的柵絕緣層圖案和包括有源層的圖案，其中，所述包括柵極的圖案至少包括柵極和柵極走線，所述柵絕緣層的過孔位于所述柵極走線的上方，所述包括有源層的圖案位于所述柵極，以及所述柵絕緣層的過孔周邊區域的上方。優選的，所述TFT陣列基板還包括:鈍化層圖案以及包括第二電極的圖案。所述包括第一電極的圖案和所述包括第二電極的圖案同層設置，所述包括第一電極的圖案包含多個第一條形電極，所述包括第二電極的圖案包含多個第二條形電極，所述第一條形電極和所述第二條形電極間隔設置。或者，所述包括第一電極的圖案和所述包括第二電極的圖案異層設置，其中位于上層的電極圖案包含多個條形電極，位于下層的電極圖案包含多個條形電極或為平板形。優選的，所述包括源漏電極的圖案至少包括源漏電極以及覆蓋所述柵絕緣層的過孔的連接金屬層，所述連接金屬層通過所述過孔與所述柵極走線連接。優選的，所述鈍化層圖案包括鈍化層過孔，所述鈍化層過孔位于所述連接金屬層的上方。優選的，所述包括第二電極的圖案包括第二電極以及覆蓋所述鈍化層過孔的連接電極，所述連接電極用于連接外部輸入信號和所述連接金屬層。本技術還提供一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。上述技術方案提供的一種TFT陣列基板及顯示裝置，通過一次構圖工藝，形成所述帶有過孔的柵絕緣層圖案和包括有源層的圖案，與現有技術中的通過兩次構圖工藝分別完成帶有過孔的柵絕緣層圖案和包括有源層的圖案相比，減少了進行構圖工藝即掩膜工藝的次數，降低工藝復雜度及制作成本。附圖說明為了更清楚地說明本技術實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本技術的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本技術實施例提供的一種陣列基板的結構示意圖；圖2 圖8為本技術實施例提供的一種制作過程中的基板的結構示意圖。附圖標記:11-包括柵極的圖案，12-半色調或灰色調掩膜板，14-柵絕緣層圖案，15-包括有源層的圖案，16-第一電極，17-包括源漏電極的圖案，18-鈍化層圖案，19-第二電極，20-連接電極；111-柵極，112-柵極走線，131-光刻膠完全去除部分，132-光刻膠半保留部分，1331-第一光刻膠完全保留部分，1332-第二光刻膠完全保留部分，171-漏極，172-源極，173-連接金屬層。具體實施方式下面將結合本技術實施例中的附圖，對本技術實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本技術一部分實施例，而不是全部的實施例。本技術實施例提供了一種TFT陣列基板，包括設置在基板上的包括柵極的圖案，包括源漏電極的圖案，包括第一電極的圖案，以及通過一次掩膜工藝形成的帶過孔的柵絕緣層圖案和包括有源層的圖案，其中，所述包括柵極的圖案至少包括柵極和柵極走線，所述柵絕緣層的過孔位于所述柵極走線的上方，所述包括有源層的圖案位于所述柵極，以及所述柵絕緣層的過孔周邊區域的上方。可選的，如圖1所示，所述陣列基板包括設置在基板上的包括柵極的圖案，包括源漏電極的圖案17，包括第一電極16的圖案，以及通過一次掩膜工藝形成的帶過孔的柵絕緣層圖案14和包括有源層圖案15。其中，所述包括柵極的圖案包括柵極111和柵極走線112，所述柵絕緣層的過孔位于所述柵極走線的上方，所述包括有源層的圖案位于所述柵極111，以及所述柵絕緣層的過孔周邊區域的上方。進一步的，所述包括源漏電極的圖案包括源電極172、漏電極171以及覆蓋所述柵絕緣層的過孔的連接金屬層173，所述漏極171連接第一電極16，所述連接金屬層173與所述柵極走線112連接。優選的，所述陣列基板還包括:鈍化層圖案18以及包括第二電極19的圖案。優選的，所述鈍化層圖案18包括鈍化層過孔，所述鈍化層過孔位于所述連接金屬層173的上方，用于連接金屬層173和外部驅動信號的連接。優選的，所述包括第二電極19的圖案包括第二電極19以及覆蓋所述鈍化層過孔的連接電極20，所述連接電極20用于連接外部驅動信號和所述連接金屬層173，進一步將外部驅動信號輸入到柵極走線112。當然，對于GOA電路，由于柵極驅動集成于基板上，可以不設置所述鈍化層過孔，相應的，也不需要所述連接電極。本技術實施例提供的TFT陣列基板可以適用于AD-SDS (Advanced-SuperDimensional Switching,簡稱為 ADS,高級超維場開關)型、IPS (In Plane Switch,橫向電場效應)型、TN(Twist Nematic，扭曲向列)型等類型的液晶顯示裝置的生產。AD-SDS技術通過同一平面內像素電極邊緣所產生的平行電場以及像素電極層與公共電極層間產生的縱向電場形成多維電場，使液晶盒內像素電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產生旋轉轉換，從而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。無論上述哪種液晶顯示裝置都包括對盒成形的彩膜基板和陣列基板。不同的是，TN型顯示裝置的公共電極設置在彩膜基板上，像素電極設置在陣列基板上，所述陣列基板上只包括第一電極；ADS型顯示裝置和IPS型顯示裝置的公共電極和像素電極均設置在陣列基板上，所述陣列基板上還包括:包括第二電極的圖案。在所述ADS型顯示裝置的陣列基板中，所述第一電極和所述第二電極可以異層設置，其中位于上層的電極包含多個條形電極，位于下層的電極包含多個條形電極或為平板形。可選的，如圖1所示，位于上層的包含多個條形電極的第二電極19為公共電極，位于下層的平板形第一電極16為像素電極。異層設置是針對至少兩種圖案而言的，至少兩種圖案異層設置是指，分別將至少兩層薄膜通過構圖工藝形成至少兩種圖案。對于兩種圖案異層設置是指，通過構圖工藝，由兩層薄膜各形成一種圖案。例如，第一電極和第二電極異層設置是指:由第一層透明導電薄膜通過構圖工藝形成第一電極，由第二層透明導電薄膜通過構圖工藝形成第二電極，其中，第一電極為像素電極(或公本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種TFT陣列基板，包括設置在基板上的包括柵極的圖案，包括源漏電極的圖案，包括第一電極的圖案，其特征在于，還包括：通過一次構圖工藝形成的帶有過孔的柵絕緣層圖案和包括有源層的圖案，其中，所述包括柵極的圖案至少包括柵極和柵極走線，所述柵絕緣層的過孔位于所述柵極走線的上方，所述包括有源層的圖案位于所述柵極，以及所述柵絕緣層的過孔周邊區域的上方。

【技術特征摘要】
1.一種TFT陣列基板，包括設置在基板上的包括柵極的圖案，包括源漏電極的圖案，包括第一電極的圖案，其特征在于，還包括: 通過一次構圖工藝形成的帶有過孔的柵絕緣層圖案和包括有源層的圖案，其中，所述包括柵極的圖案至少包括柵極和柵極走線，所述柵絕緣層的過孔位于所述柵極走線的上方，所述包括有源層的圖案位于所述柵極，以及所述柵絕緣層的過孔周邊區域的上方。2.根據權利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，還包括:鈍化層圖案以及包括第二電極的圖案。3.根據權利要求2所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述包括第一電極的圖案和所述包括第二電極的圖案同層設置，所述包括第一電極的圖案包含多個第一條形電極，所述包括第二電極的圖案包含多個第二條形電極，所述第一條形電極和所述第二條形電極間隔設置。4.根據權利要求2所述的...

【專利技術屬性】
技術研發人員：謝振宇，
申請(專利權)人：北京京東方光電科技有限公司，
類型：新型
國別省市：北京;11