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    一種激光輔助無損轉移化學氣相沉積石墨烯的方法技術

    技術編號:8761477 閱讀:283 留言:0更新日期:2013-06-06 23:10
    本發明專利技術屬于半導體制備技術領域,提供了一種激光輔助無損轉移化學氣相沉積石墨烯的方法,該方法在藍寶石襯底上依次生長GaN和Cu薄層,進而在Cu薄層上CVD淀積石墨烯,同時通過改變GaN薄層的生長厚度和激光波長能量,利用激光剝離襯底,實現石墨烯高效轉移;該方法生長轉移獲得石墨烯時,節省了金屬箔的使用,縮短了腐蝕金屬所需要的時間,所得石墨烯的質量較高,該方法采用的激光剝離技術,可高效無損的使石墨烯與襯底分離,同時采用很薄的Cu金屬膜,可用較短時間徹底去除,消除了Cu雜質對石墨烯的影響,實用性強,具有較強的推廣與應用價值。

    【技術實現步驟摘要】

    【技術保護點】
    一種激光輔助無損轉移化學氣相沉積石墨烯的方法,其特征在于,該方法在藍寶石襯底上依次生長GaN和Cu薄層,進而在Cu薄層上CVD淀積石墨烯,同時通過改變GaN薄層的生長厚度和激光波長能量,利用激光剝離襯底,實現石墨烯高效轉移。

    【技術特征摘要】

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:閆景東王東寧靜柴正韓碭張進成郝躍
    申請(專利權)人:西安電子科技大學
    類型:發明
    國別省市:

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