【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種消力池底部滲漏位置的探測方法,其特征在于:包括以下步驟:(1)根據(jù)待測消力池的形狀均勻設(shè)定一組測定點(diǎn);(2)在待測消力池表面水體均勻投入示蹤劑后,靜置0.5?2天;(3)利用電導(dǎo)儀分別測定消力池的各測定點(diǎn)表面水體下同一深度的電導(dǎo)率;(4)以電導(dǎo)率值和測點(diǎn)位置坐標(biāo)繪制待測消力池表面水體電導(dǎo)率分布圖,即得消力池底部滲漏位置坐標(biāo)。
【技術(shù)特征摘要】
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員:陳亮,趙敬川,吳炫,夏兵兵,王濤,丁小闖,
申請(專利權(quán))人:河海大學(xué),
類型:發(fā)明
國別省市:
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