基于超材料與半導體低維量子材料的復合結構及其應用制造技術

本發明專利技術提供的基于超材料與半導體低維量子材料的復合結構，其由自下而上排列的襯底（1）、緩沖層（2）、半導體低維量子材料（3）、半導體隔層材料（4）、超材料（5）組成，所述超材料（5）是周期排布的金屬線陣列、周期排布的金屬開口諧振環陣列或者漁網結構；所述半導體隔層材料（4）的厚度為5～50納米。本發明專利技術同時利用了半導體低維量子材料的光增益以及半導體材料對光信號的高速響應特性，具有補償超材料損耗，調控超材料性能的雙重功能；在外加控制光或者泵浦光的情況下，這種基于超材料與半導體低維量子材料的復合結構可以實現全光開關或者全光波長轉換的功能，而且具有大消光比的優點。

【技術實現步驟摘要】

【技術保護點】
一種基于超材料與半導體低維量子材料的復合結構，其特征是由自下而上排列的襯底（1）、緩沖層（2）、半導體低維量子材料（3）、半導體隔層材料（4）、超材料（5）組成，所述超材料（5）是周期排布的金屬線陣列、周期排布的金屬開口諧振環陣列或者漁網結構；所述半導體隔層材料（4）的厚度為5～50納米。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：黃黎蓉，孫榮，
申請(專利權)人：華中科技大學，
類型：發明
國別省市：