一種雪崩光電二極管APD耦合電源制造技術

本實用新型專利技術公開了一種雪崩光電二極管APD耦合電源，包括：單片機MCU單元，用于獲取帶有APD倍增因子的光發射次模塊BOSA/光接收次模塊ROSA器件的擊穿電壓，并根據輸出模式的不同計算出器件的工作電壓，控制高壓芯片恒定輸出高壓至所述BOSA/ROSA器件。本實用新型專利技術采取了上述技術方案以后，可自動測試擊穿電壓、響應電流，同時是同調制光源輸出及示波器接口。整個系統集成了高壓源和調制光源，并具有較高的穩定性。（*該技術在2022年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及一種雪崩光電二極管APD耦合電源。
技術介紹
目前，目前光通信GPON、EPON的應用范圍逐漸的擴大，傳統的耦合電源已經不能適應GPON、EPON系統設備中B0SA/R0SA器件的耦合。帶有APD倍增因子的B0SA/R0SA器件在耦合的過程中，需要給其提供高壓，并且每個器件的工作高壓不經相同。APD耦合電源在測試器件時，通過單片機給器件加掃描電壓，當測得器件的暗電流為10 μ A時，此時的掃描電壓即為擊穿電壓Vbr，由于市場上的帶有APD倍增因子的BOSA/ROSA器件的APD工作電壓各不相同，例如:有的器件的APD工作電壓為Vbr_4V，而有的器件的APD工作電壓為0.9*Vbr，甚至還有除這兩種工作電壓以外的情況。
技術實現思路
本技術所要解決的技術問題是克服現有的電壓問題，提供了一種適應光通信領域的雪崩光電二極管Aro耦合電源。本技術解決上述技術問題所采取的技術方案如下:一種雪崩光電二極管APD耦合電源，包括:單片機MCU單元，用于獲取帶有APD倍增因子的光發射次模塊BOSA/光接收次模塊ROSA器件的擊穿電壓，并根據輸出模式的不同計算出器件的工作電壓，并控制高壓芯片恒定輸出高壓至所述B0SA/R0SA器件。進一步地，所述B0SA/R0SA器件的工作電壓各不相同。進一步地，所述恒定輸出高壓包括Vbr_4V、Vbr-X電壓輸出模式。本技術采取了上述技術方案以后，可自動測試擊穿電壓、響應電流，同時是同調制光源輸出及示波器接口。整個系統集成了高壓源，調制光源，并具有較高的穩定性。本技術的其它特征和優點將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實施本技術而了解。本技術的目的和其他優點可通過在所寫的說明書、權利要求書、以及附圖中所特別指出的結構來實現和獲得。以下結合附圖對本技術進行詳細的描述，以使得本技術的上述優點更加明確。附圖說明圖1是本技術雪崩光電二極管APD耦合電源的結構示意圖。具體實施方式下面結合具體實施例對本技術進行詳細地說明。針對目前光通信GPON、EPON的應用范圍逐漸的擴大，傳統的耦合電源已經不能適應GPON、EPON系統設備中B0SA/R0SA器件的耦合，因而開發了一種全新的APD耦合電源來滿足此類 B0AS/R0SA 光發射次模塊(Transmitter Optical Subassembly ；T0SA)與光接收次模塊(Receiver Optical Subassembly ；R0SA)器件的f禹合。如圖1所示，所述雪崩光電二極管Aro耦合電源，包括:單片機MCU單元，用于獲取帶有APD倍增因子的光發射次模塊BOSA/光接收次模塊ROSA器件的擊穿電壓，并根據輸出模式的不同計算出器件的工作電壓，并控制高壓芯片恒定輸出高壓至所述B0SA/R0SA器件。其中，所述B0SA/R0SA器件的工作電壓各不相同。進一步地，所述恒定輸出高壓包括Vbr_4V、Vbr-X等APD電壓輸出模式。也就是說，所述APD耦合電源主要應用于GPON、EPON中APD的B0SA/R0SA器件耦合生產與監測，可自動測試擊穿電壓、響應電流，同時是同調制光源輸出及示波器接口。整個系統集成了高壓源，調制光源，并具有較高的穩定性。也就是說，APD耦合電源可以提供Vbr-4、Vbr-X電源電壓等輸出模式，提供示波器接口與測試系數的液晶顯示，該設備穩定性好，測試速度快，可靠性高，極大提高了用戶的生產效率。并且，APD耦合電源通過單片機控制其電壓，使其恒定輸出，整個測試的過程中，單片機實時監控響應電流。 其中，用戶在測試器件整個過程中，加電時，Aro耦合電源通過單片機軟件控制，先加TIA電壓，再加APD工作高壓；斷電時，先斷APD工作高壓，再斷TIA電壓，此種上下電時序，有效的對B0SA/R0SA器件起到了保護作用。最后應說明的是:以上所述僅為本技術的優選實施例而已，并不用于限制本技術，盡管參照前述實施例對本技術進行了詳細的說明，對于本領域的技術人員來說，其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分技術特征進行等同替換。凡在本技術的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本技術的保護范圍之內。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種雪崩光電二極管APD耦合電源，其特征在于，包括：單片機MCU單元，用于獲取帶有APD倍增因子的光發射次模塊BOSA/光接收次模塊ROSA器件的擊穿電壓，并根據輸出模式的不同計算出器件的工作電壓，并控制高壓芯片恒定輸出高壓至所述BOSA/ROSA器件。

【技術特征摘要】
1.一種雪崩光電二極管APD耦合電源，其特征在于，包括:單片機MCU單元，用于獲取帶有APD倍增因子的光發射次模塊BOSA/光接收次模塊ROSA器件的擊穿電壓，并根據輸出模式的不同計算出器件的工作電壓，并控制高壓芯片恒定輸出高壓至所述B0SA/R0...

【專利技術屬性】
技術研發人員：黃秋元，
申請(專利權)人：武漢普賽斯電子技術有限公司，
類型：實用新型
國別省市：