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    內部光二次散射之高效率雙結薄膜太陽能電池技術制造技術

    技術編號:8791891 閱讀:221 留言:0更新日期:2013-06-10 12:43
    本發明專利技術主要是適用于雙結薄膜太陽能電池之接面處,利用透明氧化層本身內部現有之缺陷,而這些缺陷會提高電子電洞復合的機率,有效阻止在雙結接面上載子分離形成反向的內建電場,獲得良好的雙結薄膜太陽能電池的穿隧結,接著在透明氧化層表面進行離子轟擊,使其表面形成凹凸絨狀結構,可作為光二次散射之接面,若是第二層薄膜太陽能電池為結晶性結構,此接面之結構也有助于提升薄膜沉積結晶之質量,提升薄膜太陽能電池之效能。

    【技術實現步驟摘要】

    本專利技術是一種是一種運用在雙結薄膜太陽能電池的新技術。在雙結的接面上多加上一道制程,形成良好的穿隧效應,且于此接面發生光二次散射,增加光行進距離,使雙結薄膜太陽能電池效率達到加成效果,以增加太陽能電池發電效率。
    技術介紹
    由于現在太陽能產業為了有效提升太陽能電池效率,紛紛由單結太陽能電池轉成雙結太陽能電池。而雙結太陽能電池在串聯兩個電池時,其接面扮演相當重要的角色,若無良好的穿隧結產生,兩個太陽能電池堆棧在一起將無法有加乘效果,所以能在此接面產生良好的穿隧結,且在此接面若能有二次光散射,將可大大提升太陽能電池之效率,增加其產業競爭力。專利技術說明 本專利技術主要是適用于雙結薄膜太陽能電池之接面處,利用透明氧化層本身內部現有之缺陷,而這些缺陷會提高電子電洞復合的機率,有效阻止在雙結接面上載子分離形成反向的內建電場,獲得良好的雙結薄膜太陽能電池的穿隧結,接著在透明氧化層表面進行離子轟擊,使其表面形成凹凸絨狀結構,可作為光二次散射之接面,若是第二層薄膜太陽能電池為結晶性結構,此接面之結構也有助于提升薄膜沉積結晶之質量,大大提升薄膜太陽能電池之效能。具體實施方法 吾將本專利技術搭 配附圖,詳細說明如下: 圖1為本專利技術內部光二次散射之高效率雙結薄膜太陽能電池技術之制程示意圖,由圖中可得知,先于基板(I)上先后鍍制電極(2)和一單結薄膜太陽能電池(3),之后在鍍制完成的太陽能電池表面上,再鍍制一層透明氧化層(4),之后再此層進行離子轟擊表面,在此接面形成一些額外的凹凸絨狀結構層(4-1),之后再鍍制上第二層薄膜太陽能電池(5)和電極(6),即完成有二次光散射及良好穿隧結之高效能雙結薄膜太陽能電池。圖2為本專利技術內部光二次散射之高效率雙結薄膜太陽能電池技術之光行進路線圖,由圖可得知,光行進有凹凸絨狀結構(4-1)的透明氧化層(4)時,因為表面結構而產生內部二次散射現象(7),同時也因為此層為透明薄膜層,并不會影響光行進,有效提升雙結薄膜太陽能電池之效率,增加太陽能產業進爭能力。以上說明,對本專利技術而言只是說明性的,非限制性的,本領域普通技術人員理解,在不脫離權利要求所限定的精神和范圍的情況下,可作出許多修正、變化或等效,但都將落入本專利技術的保護范圍之內。附圖說明:下面為結合附圖對本專利技術進一步說明:圖1為本專利技術內部光二次散射之高效率雙結薄膜太陽能電池技術之制程示意圖。圖2為本專利技術內部光二次散射之高效率雙結薄膜太陽能電池技術之光行進路線圖。圖標主要符號說明:1…基板2…電極3…第一層薄膜太陽能電池4…透明氧化層4-1.凹凸絨狀 結構5…第二層薄膜太陽能電池6…電極7…光二次散射路線。本文檔來自技高網...

    【技術保護點】
    本專利技術主要是適用于雙結薄膜太陽能電池之接面處,利用透明氧化層本身內部現有之缺陷,而這些缺陷會提高電子電洞復合的機率,有效阻止在雙結接面上載子分離形成反向的內建電場,獲得良好的雙結薄膜太陽能電池的穿隧結,接著在透明氧化層表面進行離子轟擊,使其表面形成凹凸絨狀結構,可作為光二次散射之接面,若是第二層薄膜太陽能電池為結晶性結構,此接面之結構也有助于提升薄膜沉積結晶之質量,大大提升薄膜太陽能電池之效能。

    【技術特征摘要】
    1.本發明主要是適用于雙結薄膜太陽能電池之接面處,利用透明氧化層本身內部現有之缺陷,而這些缺陷會提高電子電洞復合的機率,有效阻止在雙結接面上載子分離形成反向的內建電場,獲得良好的雙結薄膜太陽能電池的穿隧結,接著在透明氧化層表面進行離子轟擊,使其表面形成凹凸絨狀結構,可作為光二次散射之接面,若是第二層薄膜太陽能電池為結晶性結構,此接面之結構也有助于提升薄膜沉積結晶之質量,大大提升薄膜太陽能電池之效能。2.根據權利要求1所敘述的一種內部光二次散射之高效率雙結薄膜太陽能電池技術,皆適用于N-1-P(N-...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:簡唯倫劉幼海劉吉人
    申請(專利權)人:吉富新能源科技上海有限公司
    類型:發明
    國別省市:

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