一種基于微通道板拼接的大面積X射線脈沖探測裝置制造方法及圖紙

本發明專利技術涉及一種基于微通道板拼接的大面積X射線脈沖探測裝置，包括依次疊放的X射線光電陰極、第一絕緣層、MCP輸入電極壓環、第二絕緣層、MCP輸入電極、第一層MCP、中間電極、第二層MCP、第三絕緣層、MCP輸出電極、第四絕緣層以及陽極，第一層MCP和第二層MCP均為大面積MCP探測器，大面積MCP探測器包括探測器本體、拼接骨架以及處理電路。本發明專利技術解決了現有的采用MCP探測器探測X射線脈沖需要極長的觀測時間、整個系統的探測效率低的技術問題，為X射線脈沖星導航系統提供高探測效率的探測方法和裝置、為X射線脈沖星導航提供高時間分辨和高時間精度的光子測量信息，為導航定位的高精度提供保障。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及一種大面積X射線探測器的裝置，可用于X射線脈沖星脈沖探測，采用基于微通道板MCP拼接的大面積探測器技術，是解決深空極微弱X射線脈沖探測、未來脈沖星導航的可持續性發展和工程化研究的重要方法和實驗裝置。同時，本實驗方法和裝置也可以用于其他大面積X射線脈沖探測。
技術介紹
X射線脈沖星導航是通過探測深空脈沖星的周期性X射線脈沖，來確定航天器的位置、速度和姿態等的新型自主導航技術。X射線脈沖星導航能夠為近地軌道、深空和星際空間飛行器提供豐富的導航信息，實現航天器全程高精度自主導航和運行管理，具有廣闊的工程應用前景，是美國和歐洲正在大力研究和積極實施的新技術和方法。我國許多單位也開展了相關研究，并提出了我國發展X射線脈沖星自主導航的必要性和可行性。由于毫秒脈沖星的輻射主要集中于I IOkeV能段，且輻射強度非常微弱，一般在10_5ph/S/cm2的量級，最強的Crab脈沖星輻射強度也只有1.54ph/S/cm2，為了探測這樣微弱的光子信號，就要求探測器在I IOkeV能段具有足夠高的探測靈敏度，且探測器面積足夠大，較大的探測器面積可以使系統在有限的觀測時間內獲得高的探測效率和高的信噪比。現有的X射線探測器主要有氣體正比計數管(氣體)、基于半導體的探測器(固體)和基于微通道板(MCP)的探測器(真空):其中氣體正比計數器可以做到比較大的面積，但是這種探測器需要充入惰性氣體，在空間應用中會受到空間碎片的撞擊而漏氣，嚴重制約使用壽命；基于Si的半導體探測器使用時常常需要大量的制冷劑，從而增加了航天器的負荷；基于MCP探測器由于具有高靈敏度、高時間分辨的特點且可以在常溫下工作而適合于脈沖星導航應用，但是，現有的MCP探測器單塊最大尺寸只有Φ 100_左右，小的MCP探測器面積就要求極長的觀測時間，降低了整個探測系統的效率。因此為了獲得高的探測效率和高的信噪比，大面積MCP探測器的研究具有重要意義，為脈沖星導航的應用奠定基礎。
技術實現思路
為了解決現有的采用MCP探測器探測X射線脈沖需要極長的觀測時間、整個系統的探測效率低的技術問題，本專利技術的目的是提供一種基于微通道板MCP拼接實現大面積X射線脈沖探測裝置，克服現有技術的不足，以實現極微弱X射線脈沖的探測，為脈沖星導航提供大面積探測器探測裝置。本專利技術的技術解決方案是:基于微通道板拼接的大面積X射線脈沖探測裝置，其特殊之處在于:包括依次疊放的X射線光電陰極2、第一絕緣層3、MCP輸入電極壓環4、第二絕緣層5、MCP輸入電極6、第一層MCP7、中間電極8、第二層MCP9、第三絕緣層10、MCP輸出電極11、第四絕緣層12以及陽極13，所述第一層MCP和第二層MCP均為大面積MCP探測器，所述大面積MCP探測器包括探測器本體、拼接骨架以及處理電路，所述探測器本體由多個MCP探測器拼接而成。上述多個MCP探測器拼接是mXη陣列，其中m，η均為整數。上述多個MCP探測器拼接是3X3陣列或4X4陣列。上述X射線光電陰極為CsI光電陰極，所述X射線光電陰極鍍于聚酰亞胺/鋁濾光膜上。上述或門邏輯電路為mXn通道ECL或門電路。上述MCP探測器包括光電陰極、兩塊MCP組、電子接收陽極、前置放大電路和恒比定時甄別電路，所述前置放大電路的輸入端與電子接收陽極連接，所述前置放大電路的輸出端與恒比定時甄別電路的輸入端連接，所述電子接收陽極放置于拼接骨架上；所述處理電路包括或門邏輯電路和時間數字轉換電路TDC，所述或門邏輯電路的輸入端接每一個恒比定時甄別電路的輸出端，所述或門邏輯電路的輸出端接時間數字轉換電路TDC的輸入端，時間數字轉換電路TDC的輸出端通過USB接口進入計算機。上述X射線光電陰極前還設置有X射線準直器I。上述MCP探測器為正方形的MCP探測器或矩形的MCP探測器。上述兩塊MCP組為V”字型級聯，所述MCP探測器的電子接收陽極是阻抗匹配的微帶線陽極或阻抗匹配的錐形陽極。上述拼接骨架由絕緣材料制成。本專利技術所具有的 有益效果:1、本專利技術的基于MCP拼接的大面積X射線探測器面積大，為X射線脈沖星導航系統提供高探測效率的探測方法和裝置。2、本專利技術的MCP拼接方案保持了 MCP探測器基本單元高時間分辨的特點，為X射線脈沖星導航提供高時間分辨和高時間精度的光子測量信息，為導航定位的高精度提供保障。3、本專利技術的MCP拼接大面積探測器使用壽命長，不需要制冷。附圖說明圖1本專利技術的MCP拼接探測器零件示意圖；圖2本專利技術的MCP拼接探測器整體結構示意圖；圖3500nm聚酰亞胺/50nm鋁膜透過率曲線；其中附圖標記為:1-X射線準直器，2-X射線光電陰極，3-第一絕緣層，4-MCP輸入電極壓環，5-第二絕緣層，6-MCP輸入電極，7-第一層MCP，8-中間電極，9-第二層MCP，10-第三絕緣層，Il-MCP輸出電極，12-第四絕緣層，13-陽極。具體實施例方式一種基于微通道板拼接實現大面積X射線脈沖探測裝置，I采用MCP探測器作為基本單元，拼接成為mXn陣列的大面積X射線探測器；2大面積X射線探測器輸入端設置X射線準直器I和X射線濾光膜；3基本單元包含光電陰極、兩塊MCP組、電子接收陽極12 ;4每個基本單元的電子接收陽極輸出信號經過電流靈敏前置放大、恒比定時甄別電路輸出ECL電平信號；5 JnX η個基本單元的mX η路ECL電平信號進入mXn個通道ECL或門電路，將上述mXn路ECL信號進行或門邏輯運算，得到I路信號，該路信號的電平高低即表示是否有光子入射至所述MCP拼接的大面積探測器；6TDC電路將所述或門邏輯運算得到的脈沖到達時間信息用標準時鐘進行時間標記，獲得X射線光子到達時間。MCP探測器拼接方案的拼接陣列可以是任意組合，矩形和正方形均可，即可以是3X3陣列，也可以是4X4陣列或者mXn陣列等。MCP探測器可以采用正方形的MCP或者矩形的MCP。MCP探測器基本單元的兩塊MCP為“V”字型級聯，所獲得的增益為106左右。MCP探測器基本單元的電子接收陽極可以是阻抗匹配的微帶線陽極，也可以是阻抗匹配的錐形陽極。拼接方案的拼接骨架為絕緣材料制成，要求材料在真空中放氣要小，且材料具有一定的硬度和韌性。將每個基本單元的電子接收陽極放置于拼接骨架上。在X射線光電陰極2鍍于聚酰亞胺/鋁濾光膜，濾光膜的作用是濾除紫外及低能X射線等背景輻射。MCP拼接探測器濾光膜前面為X射線準直器，該準直器可以是采用微小加工技術光刻、塑型而成的小型化LIGA準直器，也可以是由鉭片組成的體積較大的準直器筒。MCP探測器基本單元的陽極輸出信號由電流靈敏前置放大進行信號放大，并保持陽極輸出的快時間響應的特征。電流靈敏放大的輸出信號由恒比定時甄別電路確定該脈沖的時間信息，在電流靈敏放大輸出信號幅度上升到總幅度的一定比值時輸出一個ECL電平，該ECL電平的上升沿即為脈沖的到達時刻。MCP拼接探測器的mXn個恒比定時甄別電路的ECL輸出經由mXn通道輸入的ECL或門電路進行邏輯運算，或門電路邏輯運算后的輸出信號表示整個MCP拼接探測器上是否有X射線光子入射。或門邏輯運算的輸出由TDC電路采集，得到光子到達時間信息。實施例: 本專利技術采用MCP-陽極作為整個探測器的基本單元。以3X3陣列拼接為例，為方便集成拼接、盡可本文檔來自技高網...

【技術保護點】
基于微通道板拼接的大面積X射線脈沖探測裝置，其特征在于：包括依次疊放的X射線光電陰極(2)、第一絕緣層(3)、MCP輸入電極壓環(4)、第二絕緣層(5)、MCP輸入電極(6)、第一層MCP(7)、中間電極(8)、第二層MCP(9)、第三絕緣層(10)、MCP輸出電極(11)、第四絕緣層(12)以及陽極(13)，所述第一層MCP和第二層MCP均為大面積MCP探測器，所述大面積MCP探測器包括探測器本體、拼接骨架以及處理電路，所述探測器本體由多個MCP探測器拼接而成。

【技術特征摘要】
1.基于微通道板拼接的大面積X射線脈沖探測裝置，其特征在于:包括依次疊放的X射線光電陰極(2)、第一絕緣層(3)、MCP輸入電極壓環(4)、第二絕緣層(5)、MCP輸入電極(6)、第一層MCP (7)、中間電極(8)、第二層MCP (9)、第三絕緣層(10)、MCP輸出電極(11)、第四絕緣層(12)以及陽極(13)，所述第一層MCP和第二層MCP均為大面積MCP探測器，所述大面積MCP探測器包括探測器本體、拼接骨架以及處理電路，所述探測器本體由多個MCP探測器拼接而成。2.根據權利要求1所述的基于微通道板拼接的大面積X射線脈沖探測裝置，其特征在于:多個MCP探測器拼接是mXn陣列，其中m，η均為整數。3.根據權利要求2所述的基于微通道板拼接的大面積X射線脈沖探測裝置，其特征在于:多個MCP探測器拼接是3X3陣列或4X4陣列。4.根據權利要求1或2或3所述的基于微通道板拼接的大面積X射線脈沖探測裝置，其特征在于:所述X射線光電陰極為CsI光電陰極，所述X射線光電陰極鍍于聚酰亞胺/鋁濾光膜上。5.根據權利要求4所述的基于微通道板拼接的大面積X射線脈沖探測裝置，其特征在于:所述或門邏輯電路為mXn通道ECL或門電路。6.根據權利要求5所述的基于微通道...

【專利技術屬性】
技術研發人員：盛立志，趙寶升，劉永安，鄢秋榮，賽小鋒，韋永林，周峰，
申請(專利權)人：中國科學院西安光學精密機械研究所，
類型：發明
國別省市：