依替米星硫酸鹽的假多晶型、其制備方法及其應用技術

本發明專利技術公開一種新穎的依替米星硫酸鹽的假多晶型、其制備方法及其應用。所述假多晶型顯示出具有2θ°為5.1±0.2、6.0±0.2、7.0±0.2、7.6±0.2、8.5±0.2、10.9±0.2、12.5±0.2、13.1±0.2、13.7±0.2、15.5±0.2、16.0±0.2、16.6±0.2、17.2±0.2、17.6±0.2、19.4±0.2、19.9±0.2、20.1±0.2、20.5±0.2、21.7±0.2、22.6±0.2、23.2±0.2、24.0±0.2、24.5±0.2、26.0±0.2、26.7±0.2、27.1±0.2、27.6±0.2、28.4±0.2、28.8±0.2表示的特征峰的X射線粉末衍射圖譜。本發明專利技術也公開該假多晶型的制備方法以及其在制備治療人體細菌感染性疾病的藥物中的應用。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及新穎的1-N-乙基慶大霉素Cla硫酸鹽(依替米星硫酸鹽)的假多晶型1、其制備方法以及其在制備治療人體細菌感染性疾病的藥物中的應用。
技術介紹
下式(I)的化合物1-N-乙基慶大霉素Cla硫酸鹽(通用名為硫酸依替米星，曾用名愛大霉素、抗生素89-07)適用于治療人體細菌感染性疾病，例如腸胃感染或皮膚感染。權利要求1.1-N-乙基慶大霉素Cla的假多晶型，其特征在于，所述假多晶型顯示出具有2 Θ °為 5.1±0.2、6.0±0.2、7.0±0.2、7.6±0.2、8.5±0.2、10.9±0.2、12.5±0.2、13.1±0.2、13.7 ± 0.2、15.5 ± 0.2、16.0 ± 0.2、16.6 ± 0.2、17.2 ± 0.2、17.6 ± 0.2、19.4 ± 0.2、19.9 ± 0.2、20.1 ± 0.2、20.5 ± 0.2、21.7 ± 0.2、22.6 ± 0.2、23.2 ± 0.2、24.0 ± 0.2、24.5±0.2、26.0±0.2、26.7±0.2、27.1±0.2、27.6±0.2、28.4±0.2、28.8±0.2 表示的特征峰的X射線粉末衍射圖譜。2.如權利要求1所述的1-N-乙基慶大霉素Cla的假多晶型，其特征在于，其相對強度接近于下列數值:3.如權利要求1所述的1-N-乙基慶大霉素Cla的假多晶型，其特征在于，其加熱至150°C時，其呈階梯型失重，失重比例為18% -24%左右。4.如權利要求3所述的1-N-乙基慶大霉素Cla的假多晶型，其特征在于，其是依替米星硫酸鹽的水合物或水溶劑化物，其結構式為(C21H43N5O7)2.5H2S04.(H2O)n,其中η =17.5-22.5，優選 η = 19 或 20。5.權利要求1至4任一項所述的1-N-乙基慶大霉素Cla的假多晶型的制備方法，其特征在于所述方法包括在甲醇、乙醇或二甲亞砜三種溶劑中的任意一種或多種以任意比例與水相混合的混合液中滴加硫酸水溶液使1-N-乙基慶大霉素Cla硫酸鹽析出結晶及重結晶的步驟。6.如權利要求5所述的制備方法，其特征在于所述硫酸水溶液的濃度為1-14.8mol/L,優選 4-8mol/L。7.如權利要求5所述的制備方法，其特征在于所述混合液為:3: 1-6: I的甲醇水混合液、I: 1-3: I的乙醇水混合液、3: 1-10: I的二甲亞砜水混合液、甲醇20%-40%:乙醇 20% -40%:水 10% -20%。8.如權利要求5-7任一項所述的制備方法，其特征在于該方法包括以下步驟: a)將1-N-乙基慶大霉素Cla、部分成硫酸鹽的1-N-乙基慶大霉素Cla(pH6.5-8.0)或硫酸鹽1-N-乙基慶大霉素Cla原料制成lOOmg/mL水溶液至其飽和水溶液之間的任一溶液，優選濃度為200-800mg/mL,最優濃度為400-600mg/mL ； b)加入一定量的甲醇、乙醇、二甲亞砜三種溶劑中的任意一種或多種以任意比例與水相混合的混合液，充分混勻； c)攪拌下滴加1-14.8mol/L濃度的 任一硫酸水溶液,滴加至母液最終pH在4.0-6.5之間； d)過濾母液獲得結晶固體顆粒，并真空干燥。9.如權利要求8所述的制備方法，其特征在于該方法在-20°C_80°C，優選0°C _60°C的溫度下進行。10.如權利要求8所述的制備方法，其特征在于a)步驟中所述部分成硫酸鹽的1-N-乙基慶大霉素Cla的pH為6.5-8.0。11.權利要求1至4任一項所述的1-N-乙基慶大霉素Cla硫酸鹽的假多晶型在制備治療細菌感染性疾病的藥物中的應用。12.如權利要求11所述的應用，其特征在于所述細菌感染性疾病為敗血癥，支氣管炎，支氣管擴張癥，肺炎，腹膜炎，腎盂腎炎或膀胱炎。全文摘要本專利技術公開一種新穎的依替米星硫酸鹽的假多晶型、其制備方法及其應用。所述假多晶型顯示出具有2θ°為5.1±0.2、6.0±0.2、7.0±0.2、7.6±0.2、8.5±0.2、10.9±0.2、12.5±0.2、13.1±0.2、13.7±0.2、15.5±0.2、16.0±0.2、16.6±0.2、17.2±0.2、17.6±0.2、19.4±0.2、19.9±0.2、20.1±0.2、20.5±0.2、21.7±0.2、22.6±0.2、23.2±0.2、24.0±0.2、24.5±0.2、26.0±0.2、26.7±0.2、27.1±0.2、27.6±0.2、28.4±0.2、28.8±0.2表示的特征峰的X射線粉末衍射圖譜。本專利技術也公開該假多晶型的制備方法以及其在制備治療人體細菌感染性疾病的藥物中的應用。文檔編號A61K31/7036GK103193838SQ201210002719公開日2013年7月10日 申請日期2012年1月6日 優先權日2012年1月6日專利技術者李繼安, 封成軍, 陳舟舟, 陳代杰, 李興剛, 藍鴻 申請人:上海醫藥工業研究院, 常州方圓制藥有限公司本文檔來自技高網...

【技術保護點】
1?N?乙基慶大霉素C1a的假多晶型，其特征在于，所述假多晶型顯示出具有2θ°為5.1±0.2、6.0±0.2、7.0±0.2、7.6±0.2、8.5±0.2、10.9±0.2、12.5±0.2、13.1±0.2、13.7±0.2、15.5±0.2、16.0±0.2、16.6±0.2、17.2±0.2、17.6±0.2、19.4±0.2、19.9±0.2、20.1±0.2、20.5±0.2、21.7±0.2、22.6±0.2、23.2±0.2、24.0±0.2、24.5±0.2、26.0±0.2、26.7±0.2、27.1±0.2、27.6±0.2、28.4±0.2、28.8±0.2表示的特征峰的X射線粉末衍射圖譜。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：李繼安，封成軍，陳舟舟，陳代杰，李興剛，藍鴻，
申請(專利權)人：上海醫藥工業研究院，常州方圓制藥有限公司，
類型：發明
國別省市：