中子探測器制造技術(shù)

本實(shí)用新型專利技術(shù)提供一種中子探測器，包括：用于提供漂移電場的漂移電極、用于對入射的中子進(jìn)行轉(zhuǎn)換的涂硼氣體電子倍增器結(jié)構(gòu)、用于對中子轉(zhuǎn)換后產(chǎn)生的原初電子進(jìn)行氣體放大的氣體電子倍增器結(jié)構(gòu)以及用于讀出放大后的電子信號(hào)的讀出電極；漂移電極、涂硼氣體電子倍增器結(jié)構(gòu)、氣體電子倍增器結(jié)構(gòu)和讀出電極互相平行設(shè)置且順次排列；涂硼氣體電子倍增器結(jié)構(gòu)采用至少一個(gè)級(jí)聯(lián)的第一氣體電子倍增器膜構(gòu)成，且第一氣體電子倍增器膜的至少一面涂有硼層。本實(shí)用新型專利技術(shù)能夠大大提高中子探測效率且計(jì)數(shù)率高，時(shí)間分辨率好，可實(shí)現(xiàn)更高量級(jí)的時(shí)間分辨，同時(shí)該中子探測器兼具氣體探測器的優(yōu)點(diǎn)γ抑制能力高、成本低和可大面積制作。（*該技術(shù)在2023年保護(hù)過期，可自由使用*）

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種中子探測器，其特征在于，包括：?用于提供漂移電場的漂移電極、用于對入射的中子進(jìn)行轉(zhuǎn)換的涂硼氣體電子倍增器結(jié)構(gòu)、用于對所述中子轉(zhuǎn)換后產(chǎn)生的原初電子進(jìn)行氣體放大的氣體電子倍增器結(jié)構(gòu)以及用于讀出放大后的電子信號(hào)的讀出電極；?所述漂移電極、所述涂硼氣體電子倍增器結(jié)構(gòu)、所述氣體電子倍增器結(jié)構(gòu)和所述讀出電極互相平行設(shè)置，且順次排列；?所述涂硼氣體電子倍增器結(jié)構(gòu)采用至少一個(gè)級(jí)聯(lián)的第一氣體電子倍增器膜構(gòu)成，且所述第一氣體電子倍增器膜的至少一面涂有硼層；所述氣體電子倍增器結(jié)構(gòu)包括第二氣體電子倍增器膜。

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：孫志嘉，周健榮，陳元柏，王艷鳳，楊桂安，許虹，唐彬，楊振，
申請(專利權(quán))人：中國科學(xué)院高能物理研究所，
類型：實(shí)用新型
國別省市：