一種太陽能電池用基底的處理工藝制造技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)實施例提供一種太陽能電池用基底的處理工藝，包括提供太陽能電池用基底；對所述基底進行制絨處理；對所述基底進行離子擴散處理；去除所述基底邊緣的磷硅玻璃；在所述基底的正面形成抗反射層；其中，去除所述基底邊緣的磷硅玻璃前還包括使用拋光液對所述基底的背面進行拋光處理。根據(jù)本發(fā)明專利技術(shù)實施例提供用的太陽能電池用基底的處理工藝，通過在去除該基底邊緣的磷硅玻璃之前使用拋光液對該基底的背面進行拋光處理，使得太陽能電池用基底的背面更加平整，從而使太陽能電池基底的背面有更好的歐姆接觸，能夠進一步提高太陽能電池的工作電壓，進而提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
一種太陽能電池用基底的處理工藝
本專利技術(shù)涉及太陽能電池制造
，具體涉及一種太陽能電池用基底的處理工藝。
技術(shù)介紹
近年來，隨著清潔能源的不斷倡導(dǎo)和推廣使用，太陽能電池得到快速發(fā)展，并被越來越多的應(yīng)用到諸多領(lǐng)域，但是，太陽能電池中光利用率的提高始終是制約太陽能電池發(fā)展的關(guān)鍵因素。目前，常規(guī)的太陽能電池的制造工藝包括酸或堿刻蝕形成絨面、離子擴散、邊緣的磷硅玻璃(boro-phospho-silicate-glass，PSG)刻蝕、形成抗反射層、絲網(wǎng)印刷燒結(jié)、分檢測試等步驟。其中，酸或堿刻蝕形成絨面是為了使太陽能電池的受光面形成粗糙的表面，以降低射入太陽能電池內(nèi)部的光線從受光面折射出去的幾率；同時，在太陽能電池的受光面形成抗反射層，能夠進一步降低太陽能電池內(nèi)部的光線從受光面折射出去的幾率，提高光線的利用率，從而提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率，通過這種方式，太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率可以達到16％-17％。另一方面，太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率與太陽能電池的工作電壓有密切關(guān)系，其他參數(shù)相同的情況下，工作電壓越大，光電轉(zhuǎn)換效率越高。而工作電壓通常與太陽能電池基底背面的歐姆接觸有關(guān)，歐姆接觸越好，工作電壓越大。但是，現(xiàn)有的太陽能電池的基底背面的歐姆接觸一般較差，這在很大程度上限制了太陽能電池光電轉(zhuǎn)換效率的進一步提高。
技術(shù)實現(xiàn)思路
有鑒于此，本專利技術(shù)的目的在于提供一種能夠提高的太陽能電池基底背面的歐姆接觸的處理工藝，以解決現(xiàn)有技術(shù)中太陽能電池基底背面的歐姆接觸較差導(dǎo)致太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率無法進一步提高的缺陷。為實現(xiàn)上述目的，本專利技術(shù)的一個實施例提供一種太陽能電池用基底的處理工藝，包括提供太陽能電池用基底；對所述基底進行制絨處理；對所述基底進行離子擴散處理；去除所述基底邊緣的磷硅玻璃；在所述基底的正面形成抗反射層；其中，所述去除所述基底邊緣的磷硅玻璃前還包括：使用拋光液對所述基底的背面進行拋光處理。優(yōu)選地，所述使用拋光液對所述基底的背面進行拋光處理前，還包括：去除所述基底背面的磷硅玻璃。優(yōu)選地，所述拋光液包括有機堿，所述有機堿為四甲基氫氧化銨，所述四甲基氫氧化銨的體積分數(shù)為3％-5％。優(yōu)選地，所述拋光處理的溫度為70℃-85℃，所述拋光處理的時間為90s-200s。優(yōu)選地，所述四甲基氫氧化銨的體積分數(shù)為4％，所述拋光處理的溫度為80℃，所述拋光處理的時間為120s。根據(jù)本專利技術(shù)實施例提供用的太陽能電池用基底的處理工藝，通過在去除該基底邊緣的磷硅玻璃之前使用拋光液對該基底的背面進行拋光處理，使得太陽能電池用基底的背面更加平整，由于基底的背面變得平整了，從而使太陽能電池基底的背面有更好的歐姆接觸，能夠進一步提高太陽能電池的工作電壓，進而提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。另一方面，太陽能電池的基底背面更加平整，能夠使射入光線在太陽能電池內(nèi)部能夠被多次反射反復(fù)利用，增加了太陽能電池對入射光線的利用率，提升太陽能電池的電流，從而提高太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。附圖說明為了更清楚地說明本專利技術(shù)實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本專利技術(shù)的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1是本專利技術(shù)實施例的太陽能電池用基底的處理工藝的流程圖；圖2是本專利技術(shù)另一實施例的太陽能電池用基底的處理工藝的流程圖；圖3是本專利技術(shù)另一實施例的沒有經(jīng)過拋光處理的多晶硅片背面的形貌圖；圖4是本專利技術(shù)另一實施例的經(jīng)過后的拋光處理的多晶硅片背面的形貌圖。具體實施方式為使本專利技術(shù)實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本專利技術(shù)實施例中的附圖，對本專利技術(shù)實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本專利技術(shù)一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本專利技術(shù)中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本專利技術(shù)保護的范圍。本專利技術(shù)實施例提供一種太陽能電池用基底的處理工藝，以提高基底背面的平整度，從而提高太陽能電池基底背面的歐姆接觸，進而提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。如圖1所示為其流程圖，該處理工藝包括：步驟S101：提供太陽能電池用基底。具體地，本專利技術(shù)實施例中的基底可以是硅片，可以是單晶硅片，也可以是多晶硅片或非晶硅片；本專利技術(shù)實施例中的基底還可以是其他類型的材料。步驟S102：對基底表面進行制絨處理，使基底的受光面形成絨面，以降低射入太陽能電池內(nèi)部的光線通過受光面折射出去的幾率，提升光線利用率，進而提高太陽能的光電轉(zhuǎn)換效率。具體地，本專利技術(shù)實施例中的制絨處理可以采用清洗制絨技術(shù)，清洗制絨處理可以按以下步驟進行：首先，可以采用去離子水對基底進行超聲波清洗，以去除基底表面的油脂、石蠟等雜志；然后，可以采用濃酸或濃堿溶液(如濃氫氧化鉀溶液)對基底進行腐蝕，以去除基底表面的損傷層；最后，可以采用酸溶液或者堿溶液對基底表面進行各向異性腐蝕，使基底表面形成倒金字塔結(jié)構(gòu)，形成絨面。步驟S103：對基底進行離子擴散處理，在基底中形成PN結(jié)。基底表面形成絨面后，采用去離子水對其進行清洗，以去除多余的化學(xué)液，然后對基底進行干燥，具體地，可以將基底置于烘干爐中烘干，或者置于甩干機中甩干，或者采用N2或IPA吹干。具體地，本專利技術(shù)實施例中的離子擴散處理可以采用P擴散或者N擴散，該步驟可以在擴散爐中進行。步驟104：使用拋光液對基底的背面進行拋光處理，使基底背面形成平整的表面，以提高太陽能電池基底背面的歐姆接觸，進而提高太陽能電池的工作電壓，提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。需要說明的是，本專利技術(shù)實施例中的處理工藝只對基底的背面進行拋光處理，該處理步驟對基底的正面(即受光面)沒有影響。本專利技術(shù)實施例中的拋光液可以是過硝酸、有機堿以及其他類型的拋光液，具體地，本專利技術(shù)實施例中的拋光液可以是有機堿，如四甲基氫氧化銨，其體積分數(shù)為3％-5％，拋光處理的溫度可以為70℃-85℃，拋光處理的時間可以為90s-200s。如果拋光時間過長，會使多晶硅片的厚度變薄；如果拋光時間過短，無法使多晶硅片的背面形成較為平整的表面，達不到較好的拋光效果。在本專利技術(shù)的其他實施例中，在采用有機堿對基底的背面進行拋光處理前，還可以包括去除基底背面的磷硅玻璃的步驟。具體地，可以采用硝酸、氫氟酸、去離子水以及硫酸藥液去除基底背面的磷硅玻璃。在對基底的背面進行拋光處理前去除基底背面的磷硅玻璃，能夠去除基底背面少許的PSG，在拋光處理過程中就可以使用與PSG不發(fā)生反應(yīng)的拋光液(如四甲基氫氧化銨)，從而能夠?qū)⒒椎谋趁孢M行均勻完整的拋光，提高拋光效果。步驟105：去除基底邊緣的磷硅玻璃；去除基底邊緣的磷硅玻璃，能夠防止太陽能電池產(chǎn)生短路電流。具體地，可以采用濕法刻蝕對基底的正面和背面進行腐蝕，使邊緣刻蝕比較窄，防止過刻蝕。步驟S106：在基底的正面形成抗反射層，以進一步提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。具體地，可以采用等離子體化學(xué)氣相沉積或其他常用的沉積方法在基底的正面形成抗反射薄膜，如氮化硅等。根據(jù)本專利技術(shù)實施例提供用的太陽能電池用基底的處理工藝，通過在去除該基底邊緣的磷硅玻璃之前使用拋光液對該基底的背面進行拋光處理，使得太陽能電池用基底的背面更加平整，由于基底的背面變得平整了本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護點】
一種太陽能電池用基底的處理工藝，包括提供太陽能電池用基底；對所述基底表面進行制絨處理；對所述基底進行離子擴散處理；去除所述基底邊緣的磷硅玻璃；在所述基底的正面形成抗反射層；其特征在于，所述去除所述基底邊緣的磷硅玻璃前還包括：使用拋光液對所述基底的背面進行拋光處理。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種太陽能電池用基底的處理工藝，包括提供太陽能電池用基底；對所述基底表面進行制絨處理；對所述基底進行離子擴散處理；去除所述基底邊緣的磷硅玻璃；在所述基底的正面形成抗反射層；其特征在于，所述去除所述基底邊緣的磷硅玻璃前還包括：使用拋光液對所述基底的背面進行拋光處理，所述拋光液為四甲基氫氧化銨；所述使用拋光液對所述基底的背面進行拋光處理前，還包括：去除所述基底...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：汪琴霞，
申請(專利權(quán))人：浚鑫科技股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：