消泡劑制造技術

本發明專利技術的目的在于提供在寬的溫度范圍下消泡性優異、并且制品穩定性優異的消泡劑。本發明專利技術的消泡劑的特征在于，其以下述作為必需成分：將利用干式法所得的二氧化硅疏水化而得到的、一次粒徑為5～100nm的疏水性干式二氧化硅（S）、水、和含有下式所示的酯化合物（E）1～25重量%的疏水性液體（Q）。（R1-COO）p-DR1表示烷基或烯基，D表示從含有2～6個碳原子及1～6個羥基的化合物（D’）中去除參與酯鍵的羥基后的殘基、或者從使碳原子數2～4的環氧烷烴加成于該化合物（D’）而得到的加成物中去除參與酯鍵的羥基后的殘基，p表示1～3的整數。

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】消泡劑
本專利技術涉及消泡劑。進一步詳細地說，涉及涂料工業(水系涂料、紙涂布涂料)、化學工業、食品工業、石油工業、土木建筑業、機織工業、紙漿工業、藥品工業或排水處理工序用等的領域中適用的消泡劑。
技術介紹
以往，已知有以環氧烷烴衍生物作為乳化劑的乳液型消泡劑(專利文獻1、2)。現有技術文獻專利文獻1:日本特開2008-188480號公報專利文獻2:日本特表2011-506086號公報(W02009/080428小冊子)
技術實現思路
專利技術所要解決的問題然而，專利文獻I中記載的乳液型消泡劑，除了存在制品穩定性不充分的問題外，還存在乳化劑成為發泡成分，在寬的溫度范圍(5?70°C)、尤其是高溫區域下，不能得到充分的消泡性的問題。另外，專利文獻2中記載的消泡劑也與專利文獻I的乳液型消泡劑同樣地，乳液化需要乳化劑，因而也存在著同樣的問題。S卩，本專利技術的目的在于提供在寬的溫度范圍下消泡性優異、并且制品穩定性優異的消泡劑。解決問題的手段本專利技術人為了達成前述目的反復精心研究，結果完成了本專利技術。即，本專利技術的消泡劑的特征的要旨在于，其以下述作為必需成分而成:將利用干式法所得的二氧化硅疏水化而得到的、一次粒徑為5?IOOnm的疏水性干式二氧化硅(S)、水、和含有通式(I)所示的酯化合物(E) I?25重量％的疏水性液體(Q)。(R1-COO)p-D (I)R1表示碳原子數I?21的烷基或碳原子數2?21的烯基，D表示從含有2?6個碳原子及I?6個羥基的化合物(D’)中去除參與酯鍵的羥基后的殘基、或者從使碳原子數2?4的環氧烷烴加成于該化合物(D’ )而得到的加成物中去除參與酯鍵的羥基后的殘基，P表示I?3的整數。本專利技術的制造方法的特征的要旨在于，其為制造上述消泡劑的方法，包括在包含疏水性液體(Q)及水的混合液中添加混合疏水性干式二氧化硅(S)的工序。專利技術的效果本專利技術的消泡劑由于在寬的溫度范圍(5?70°C)下消泡性優異、并且制品穩定性優異，因此即使投入到寬的溫度范圍的發泡液中也不產生消泡劑的凝聚、浮渣(7力夂)。使用本專利技術的制造方法時，可以容易地制造上述消泡劑。【具體實施方式】作為疏水性干式二氧化硅(S)，只要是將一次粒徑為5?IOOnm的利用干式法所得的二氧化硅疏水化而得到的二氧化硅,就可以沒有限制地使用。作為一次粒徑為5?IOOnm的利用干式法所得的二氧化硅，包含非晶合成二氧化硅(SN)中的、利用干式法所得的二氧化硅。即，作為非晶合成二氧化硅(SN)，包含干式法(熱分解法、熔融法)二氧化硅(SD)及濕式法(凝膠法、沉降法)二氧化硅(SW)，可以使用它們中的、一次粒徑為5?IOOnm的利用干式法所得的二氧化硅作為干式法二氧化硅。作為非晶合成二氧化硅(SN)，包含以下的二氧化硅。需要說明的是，它們中的濕式法(凝膠法、沉降法)二氧化硅(SW)在后述疏水性濕式二氧化硅(B3)中使用。(I)熱分解法二氧化硅:使四氯化硅等硅化合物在氫氧焰中燃燒而得到，容易以一次顆粒(微粒)的形式存在。(2)熔融法二氧化硅:將天然的二氧化硅粉末等在火焰中熔融而得到，容易以一次顆粒(微粒)的形式存在。(3)凝膠法二氧化硅:通過在酸性環境下用酸中和硅酸鈉，將所生成的析出物過濾、干燥而得到，具有凝聚結構。(4)沉降法二氧化硅:在堿性環境下用酸中和硅酸鈉，將所生成的析出物過濾、干燥而得到，孔容積大、比表面積大。這些非晶合成二氧化硅(SN)由于在二氧化硅顆粒表面具有羥基甲硅烷基(硅醇基)，因此顯示親水性。它們中，從消泡性及制品穩定性等觀點出發，優選熱分解法二氧化硅。非晶合成二氧化硅(SN)可以從市場容易地獲得，以下例示出商品名。<熱分解法二氧化硅>Aerosil 系列{Nippon Aerosil 株式會社及 Evonik Degussa 公司、“Aerosil” 為Evonik Degussa GMBH的注冊商標。}、Reolosil系列{德山株式會社、“Reorosil”為德山株式會社的注冊商標。}、Cab-O-Sil系列{Cabot公司、“Cab_0_Sil”為Cabot公司的注冊商標。I等。<熔融法二氧化硅>Admafine系列{Admatechs公司、“Admafine”為豐田汽車株式會社的注冊商標。}、Fuselex系列{龍森株式會社}、電化(7 >力)熔凝二氧化硅系列{電氣化學工業株式會社}等。<沉淀法二氧化硅>Nipsil系列{東曹二氧化硅株式會社、“Nipsil”為東曹二氧化硅株式會社的注冊商標。}、Sipernat 系列{Evonik Degussa Japan 株式會社、“Sipernat，，為 Evonik DegussaGMBH 的注冊商標。}、Carplex 系列{DSL.Japan 株式會社、“Carplex” 為 DSL.Japan 株式會社的注冊商標。}、FINESIL系列{德山株式會社、“FINESIL”為德山株式會社的注冊商標。}、T0KUSIL{德山株式會社、“T0KUSIL”為德山株式會社的注冊商標。}、Zeosil {Rhodia公司、“Zeosil”為Rhodia Chimie.的注冊商標。}、MIZUKASIL系列{水澤化學工業株式會社、“MIZUKASIL”為水澤化學工業株式會社的注冊商標。}等。<凝膠法二氧化硅>Carplex 系列、SYLYSIA 系列{Fuji Silysia 株式會社、“SYLYSIA”為 Y.K.F.有限公司的注冊商標。}、Nipgel系列{東曹二氧化硅株式會社、“Nipgel”為東曹二氧化硅株式會社的注冊商標。}、MIZUKASIL系列{水澤化學工業株式會社、“MIZUKASIL”為水澤化學工業株式會社的注冊商標。}等。一次粒徑為5~IOOnm的利用干式法所得的二氧化硅{非晶合成二氧化硅(SN)等}的疏水化可以使用公知的方法等，例如，可列舉:邊攪拌非晶合成二氧化硅(SN)和親油性化合物的混合物，邊使親油性化合物{鹵硅烷及烷氧基硅烷等后述的化合物}與二氧化硅顆粒表面反應而進行疏水化的干式處理法；以及在溶劑{有機溶劑和礦物油、動植物油等}中使親油性化合物吸附于二氧化硅顆粒表面或使它們反應而進行疏水化的濕式處理法等。作為干式處理法，可以利用(I) 一次粒徑為5~IOOnm的利用干式法所得的二氧化硅{非晶合成二氧化硅(SN)等}的表面所具有的官能團與親油性化合物所具有的官能團的縮合反應，作為濕式處理法，可以利用(2)向一次粒徑為5~IOOnm的利用干式法所得的二氧化硅{非晶合成二氧化硅(SN)等}所具有的細孔的物理吸附，以及(3) —次粒徑為5~IOOnm的利用干式法所得的二氧化硅{非晶合成二氧化硅(SN)等}的表面電荷與親油性化合物的離子性官能團的電吸附等。它們中，除了消泡性及制品穩定性等觀點以外，從防止凝聚、易于保持一次粒徑的觀點出發，優選利用(I)的縮合反應的方法。作為親油性化合物，包含鹵硅烷及烷氧基硅烷。作為鹵硅烷，包含烷基的碳原子數為I~12的烷基鹵硅烷及芳基的碳原子數為6~12的芳基鹵硅烷，可列舉甲基三氯硅烷、二甲基二氯硅烷、三甲基氯硅烷、三甲基溴硅燒、乙基二氣硅烷、苯基二氣硅烷、二苯基二氣硅烷及叔丁基二本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種消泡劑，其特征在于，其以下述成分作為必需成分：將利用干式法所得的二氧化硅疏水化而得到的、一次粒徑為5～100nm的疏水性干式二氧化硅（S）、水、和含有通式（1）所示的酯化合物（E）1～25重量%的疏水性液體（Q），（R1?COO）p?D??（1）R1表示碳原子數1～21的烷基或碳原子數2～21的烯基，D表示從含有2～6個碳原子及1～6個羥基的化合物（D’）中去除參與酯鍵的羥基后的殘基、或者從使碳原子數2～4的環氧烷烴加成于該化合物（D’）而得到的加成物中去除參與酯鍵的羥基后的殘基，p表示1～3的整數。

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】1.一種消泡劑，其特征在于，其以下述成分作為必需成分: 將利用干式法所得的二氧化硅疏水化而得到的、一次粒徑為5~IOOnm的疏水性干式二氧化硅(S)、 水、和 含有通式(I)所示的酯化合物(E) I~25重量％的疏水性液體(Q)，(R1-COO)p-D (I) R1表示碳原子數I~21的烷基或碳原子數2~21的烯基，D表示從含有2~6個碳原子及I~6個羥基的化合物(D’ )中去除參與酯鍵的羥基后的殘基、或者從使碳原子數2~4的環氧烷烴加成于該化合物(D’ )而得到的加成物中去除參與酯鍵的羥基后的殘基，P表示I~3的整數。2.根據權利要求1所述的消泡劑，其中，一次粒徑為5~IOOnm的疏水性干式二氧化硅(S)的M值為30~80。3.根據權利要求1或2所述的消泡劑，其中，基于消泡劑的重量而言，疏水性干式二氧化硅(S)的含量為0.02~2重量％，水的含量為8~70重量％，疏水性液體(Q)的含量為28~90重量％。4.根據權利要求1~3中任一項所述的消泡劑，其中，疏水性液體(Q)包含: 通式(I)所示的酯化合物(E)、 選自烴油(Al)、有機聚硅氧烷(A2)及聚醚化合物(A3)中的至少一種、和 選自脂肪酸金屬鹽(BI)、脂肪酸酰胺(B2)及將體積平均粒徑為I~15μπι的利用濕式法的二氧化硅疏水化而得到的疏水性濕式二氧化硅(Β3 )中的至少一種。5.根據...

【專利技術屬性】
技術研發人員：安藤毅，
申請(專利權)人：圣諾普科有限公司，
類型：
國別省市：