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本發(fā)明涉及MEMS制造領(lǐng)域，尤其涉及一種MEMS犧牲層刻蝕方法。本發(fā)明公開(kāi)了一種MEMS犧牲層刻蝕方法，通過(guò)在犧牲層上制備SiO/SiN雙層掩膜或者掩膜分步刻蝕工藝，均能有效的改善由于在刻蝕工藝中產(chǎn)生的聚合物覆蓋在光刻膠，致使光刻膠不易去除...該專利屬于中航（重慶）微電子有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過(guò)中航（重慶）微電子有限公司授權(quán)不得商用。