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本發明涉及一種溝槽型IGBT器件及其制造方法，其特征在于：在有源區半導體基板第一主面的第一導電類型漂移區內，設置交替的第二導電類型體區和第二導電類型緩沖區，第二導電類型體區和第二導電類型緩沖區被溝槽型柵電極隔離并與絕緣介質層接觸；第二導電類...
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