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本實(shí)用新型公開了一種溝槽型FRD芯片，包括N+襯底層、N-外延層、P型摻雜區(qū)、氧化層、鋁層和金屬層，所述N-外延層設(shè)置在N+襯底層上，所述P型摻雜區(qū)設(shè)置在N-外延層上，所述氧化層設(shè)置在終端區(qū)的P型摻雜區(qū)上，所述鋁層設(shè)置在有源區(qū)的P型摻雜區(qū)上...該專利屬于張家港意發(fā)功率半導(dǎo)體有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過張家港意發(fā)功率半導(dǎo)體有限公司授權(quán)不得商用。