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本發明提供一種太赫茲量子級聯激光器增益譜測量器件及其制作方法，所述器件包括：半絕緣GaAs襯底；位于該襯底上表面的GaAs緩沖層；位于該緩沖層表面的n型重摻雜下接觸層；位于該下接觸層表面的有源區；位于有源區表面的n型重摻雜上接觸層；位于n型...該專利屬于中國科學院上海微系統與信息技術研究所所有，僅供學習研究參考，未經過中國科學院上海微系統與信息技術研究所授權不得商用。
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本發明提供一種太赫茲量子級聯激光器增益譜測量器件及其制作方法，所述器件包括：半絕緣GaAs襯底；位于該襯底上表面的GaAs緩沖層；位于該緩沖層表面的n型重摻雜下接觸層；位于該下接觸層表面的有源區；位于有源區表面的n型重摻雜上接觸層；位于n型...