溫馨提示：您尚未登錄，請點 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。
本發明提出了一種GaN外延片的制作方法及制備GaN外延片的設備，提供具有多個反應腔室的設備，將成核層固定于一個反應腔室內生長，將含有Ga元素的緩沖層固定于另一個腔體內生長，可以有效地防止反應腔室內殘留物揮發回熔對其他薄膜層質量造成影響，從而...該專利屬于杭州士蘭微電子股份有限公司;杭州士蘭明芯科技有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過杭州士蘭微電子股份有限公司;杭州士蘭明芯科技有限公司授權不得商用。