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本發(fā)明公開了一種用于制備半導(dǎo)體材料的套管式腔體結(jié)構(gòu)，套管式腔體采用多層管子相套而成的結(jié)構(gòu)，內(nèi)管形成的腔體為材料制備提供需要的工藝環(huán)境和條件。通過選擇套管的層數(shù)，控制套管之間的間隙和各層套管的長(zhǎng)度，并采用在套管開口處加塞等輔助手段，該工藝腔體...該專利屬于中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所授權(quán)不得商用。