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一種具有側壁DBR的LED芯片的制造方法,對發光結構進行刻蝕,形成第一通孔,并在第一通孔側壁形成具有高反射性能的DBR層,這樣能較好的把芯片側面的光反射回芯片內部,減少芯片側面出光而導致的漏藍問題,同時,把芯片側面的光反射回內部能增加芯片軸...該專利屬于佛山市國星半導體技術有限公司所有,僅供學習研究參考,未經過佛山市國星半導體技術有限公司授權不得商用。
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一種具有側壁DBR的LED芯片的制造方法,對發光結構進行刻蝕,形成第一通孔,并在第一通孔側壁形成具有高反射性能的DBR層,這樣能較好的把芯片側面的光反射回芯片內部,減少芯片側面出光而導致的漏藍問題,同時,把芯片側面的光反射回內部能增加芯片軸...