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本發明實現抑制泄漏電流的發生而提高了發光效率的半導體發光元件。本發明的半導體發光元件的制造方法具有以下工序：在基板上形成n型半導體層的工序(a)；在n型半導體層上將發光層及阻擋層交替地層疊而形成活性層的工序(b)；和供給p型的摻雜劑而在活性...
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