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本發(fā)明大體上涉及集成電路裝置，且特定來說，本發(fā)明涉及交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器陣列及其制造方法。在一個(gè)方面中，一種制造交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器陣列的方法包括：形成包含第一活性材料及所述第一活性材料上的第二活性材料的存儲(chǔ)器單元材料堆疊，其中所述第一活性材料及所述第二活...該專利屬于美光科技公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過美光科技公司授權(quán)不得商用。