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提供了一種具有改進的雪崩擊穿特性的晶體管，其包括至少一個晶體管單元。該至少一個晶體管單元包括：位于半導體主體中的第一摻雜類型的漂移區、第一摻雜類型的源極區、第二摻雜類型的體區以及第一摻雜類型的漏極區；鄰近體區并且通過柵極電介質與體區介電絕緣...
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