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本發明公開了一種光刻工藝窗口的測量方法，包括：提供一晶圓，所述晶圓具有通過光刻聚焦值與曝光能量矩陣形成的多個陣列排布的待測結構；通過電子束顯微鏡獲取所述待測結構的線條成像圖；通過多像素閾值方法對所述線條成像圖進行分析，獲取線條一維方向的邊緣...
該專利屬于中國科學院微電子研究所所有，僅供學習研究參考，未經過中國科學院微電子研究所授權不得商用。

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