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本發(fā)明提供一種高速飽和單行載流子紫外光電二極管及制備方法，該光電二極管包括襯底，所述襯底上依次生長有n型AlGaN外延層、p型AlGaN外延層和p型GaN接觸層；所述n型AlGaN外延層上設(shè)有n型接觸電極，所述p型GaN接觸層上設(shè)有p型接觸...該專利屬于聊城大學(xué)所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過聊城大學(xué)授權(quán)不得商用。