溫馨提示：您尚未登錄，請點 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。

本發明公開了一種GaN基金屬?超薄氧化物?半導體的復合結構納米激光器，由基片和InGaN/GaN量子阱納米柱組成，基片結構依次包括：SiO...
該專利屬于南京大學所有，僅供學習研究參考，未經過南京大學授權不得商用。

詳細技術文檔下載地址

溫馨提示：您尚未登錄，請點 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。