溫馨提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。
一種襯底上直接生長(zhǎng)氧化鋅納米柱陣列的方法，涉及氧化鋅納米柱陣列的生長(zhǎng)方法。提供制備氧化鋅的工藝更加簡(jiǎn)易和廣泛化的一種襯底上直接生長(zhǎng)氧化鋅納米柱陣列的方法。通過CVD在襯底表面生長(zhǎng)單原子層氮化硼薄膜；采用PMMA輔助法，將氮化硼薄膜轉(zhuǎn)移覆蓋于...該專利屬于廈門大學(xué)所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過廈門大學(xué)授權(quán)不得商用。