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一種半導體結構的制造方法，包括：形成包括第一區域和第二區域的襯底；在襯底上形成圖形化的硬掩膜層；在第一區域形成第一偽柵結構，包括第一偽柵氧化層和第一偽柵電極層，在第二區域形成第二偽柵結構，包括第二偽柵氧化層和第二偽柵電極層；去除第一偽柵結構...該專利屬于中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司授權不得商用。