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一種晶體管的形成方法，包括：提供襯底，所述襯底表面形成有偽柵極結構，所述偽柵極結構包括位于襯底表面的偽柵氧化層以及位于偽柵氧化層上的偽柵極；在所述襯底表面形成介質層，所述介質層覆蓋所述偽柵極結構的側壁表面，且所述介質層表面暴露出所述偽柵極結...該專利屬于中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司授權不得商用。