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一種半導體結構的制作方法，包括：提供絕緣體上硅襯底，所述絕緣體上硅襯底包括PMOS區域和NMOS區域；在所述PMOS區域上形成第一鰭部，所述第一鰭部頂部被第一硬掩膜塊覆蓋，側面暴露；在所述NMOS區域上形成第二鰭部，所述第二鰭部頂部和側面都...該專利屬于中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司授權不得商用。