溫馨提示：您尚未登錄，請點 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。

本發明涉及一種用阻變材料做隧穿層的自旋電子器件，該結構可以是磁隧道結、自旋注入構型等自旋電子結構的一部分。包括：鐵磁金屬電極；阻變隧穿層；鐵磁金屬電極或者自旋注入溝道。所述隧穿層，是在不同電壓條件下電阻不同的阻變材料。包括但不限于氧化鉿(H...
該專利屬于北京航空航天大學所有，僅供學習研究參考，未經過北京航空航天大學授權不得商用。

詳細技術文檔下載地址

溫馨提示：您尚未登錄，請點 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。