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本發明公開了一種超結器件，超結器件單元包括：溝槽柵，形成于N型柱頂部；在溝槽柵兩側形成有溝道區；源區形成于所述溝道區表面，漏區形成于超結結構的底部；在溝槽柵的底部形成有P型表面埋層，P型表面埋層和溝槽柵的底部接觸且P型表面埋層的寬度小于柵極...該專利屬于上海華虹宏力半導體制造有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過上海華虹宏力半導體制造有限公司授權不得商用。
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