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本發明公開了一種基于氮化物量子點的共振隧穿二極管器件及其制備方法，隧穿二極管核心部分是夾在氮化物勢壘的GaN或者InGaN量子點，通過聚焦激光光束的照射，可以實現定位和操縱單量子態。本發明的優點在于綜合氮化物的寬禁帶和量子點提供的分裂能級等...該專利屬于無錫盈芯半導體科技有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過無錫盈芯半導體科技有限公司授權不得商用。
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本發明公開了一種基于氮化物量子點的共振隧穿二極管器件及其制備方法，隧穿二極管核心部分是夾在氮化物勢壘的GaN或者InGaN量子點，通過聚焦激光光束的照射，可以實現定位和操縱單量子態。本發明的優點在于綜合氮化物的寬禁帶和量子點提供的分裂能級等...