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一種具有高擊穿電壓的氮化鎵高電子遷移率晶體管及其形成方法，所述高電子遷移率晶體管包括：襯底；位于所述襯底上的氮化鎵溝道層；位于所述氮化鎵溝道層上的第一勢壘層；位于所述第一勢壘層上的柵極、源極和漏極，所述源極和漏極分別位于所述柵極的兩側；位于...
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