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本發明公開了一種基于多周期量子阱結構的HEMT器件，包括襯底，襯底上生長緩沖層，緩沖層上生長量子阱有源層；量子阱有源層包括：勢壘層、隔離層、溝道層和缺陷層；量子阱有源層上設置源極、漏極和柵極，柵極位于量子阱有源層的中間，源極和漏極位于量子阱...
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