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本發明提供一種大功率平面柵D?MOSFET結構設計，所述平面柵D?MOSFET為N?MOS結構或P?MOS結構，所述N?MOS結構的P?阱結構轉角區域為子階梯構成的階梯狀結構；所述P?MOS結構的N?阱結構轉角區域為子階梯構成的階梯狀結構。...
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