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本發明提供一種大功率槽柵門級T?MOSFET結構設計，所述T?MOSFET中槽柵門級的轉角區域為子階梯構成的階梯狀結構。本發明所述的大功率槽柵門級T?MOSFET結構設計降低了寬禁帶材料T?MOSFET槽柵門級結構的槽柵氧化層?半導體界面等...
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