溫馨提示：您尚未登錄，請點 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。
本發明提供一種低關斷損耗雙槽柵SOI?LIGBT器件結構，包括P型襯底、埋氧層二氧化硅、N型漂移區、P型阱區、N?buffer層、氧化層、兩個N型源端及之間的P型接觸區、N型陽極區；源端和P型阱區間的溝道兩側是柵氧層，柵氧層旁邊是多晶硅，多...該專利屬于電子科技大學;電子科技大學廣東電子信息工程研究院所有，僅供學習研究參考，未經過電子科技大學;電子科技大學廣東電子信息工程研究院授權不得商用。