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本發明提供一種低關斷損耗雙柵SOI?LIGBT器件結構，包括從下至上依次設置的P型襯底、埋氧層二氧化硅、N型漂移區、P型阱區、N?buffer層、氧化層；P型阱區內部上方設有兩個N型源端以及P型接觸區；N?buffer層內部上方設有N型陽極...該專利屬于電子科技大學;電子科技大學廣東電子信息工程研究院所有，僅供學習研究參考，未經過電子科技大學;電子科技大學廣東電子信息工程研究院授權不得商用。