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本發明公開了一種高轉化效率抗PID的N型晶體硅雙面電池，在N型硅襯底的正面依次形成P+層、氧化硅層、氧化鋁層和金屬電極，在N型硅襯底的背面依次形成N+層、氮化硅層和金屬電極，其特征在于：在正面金屬化區域下方存在一層20nm以上的致密氧化硅層...
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