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本發明提出了一種單晶硅及晶圓的形成方法，在采用直拉法形成單晶硅錠時，對熔融狀的硅中通入包含氘氣和氮氣的氣體，使氘原子和氮原子存儲在單晶硅錠的間隙中，采用單晶硅錠形成晶圓后，在晶圓上形成的器件時，氘能夠擴散出，并與界面處等懸空鍵進行結合，形成...該專利屬于上海新昇半導體科技有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過上海新昇半導體科技有限公司授權不得商用。
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本發明提出了一種單晶硅及晶圓的形成方法，在采用直拉法形成單晶硅錠時，對熔融狀的硅中通入包含氘氣和氮氣的氣體，使氘原子和氮原子存儲在單晶硅錠的間隙中，采用單晶硅錠形成晶圓后，在晶圓上形成的器件時，氘能夠擴散出，并與界面處等懸空鍵進行結合，形成...