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一種基于鍵合密封技術的硅振蕩器，包括頂層硅、結構層硅、氧化層和底層硅。振蕩器結構利用結構層硅制作，頂層硅上制作有硅柱結構。制作過程中結構層硅與底層硅通過鍵合結合在一起，頂層硅與結構層硅也通過鍵合結合在一起。振蕩器結構密封在鍵合形成的真空腔內...該專利屬于西安賽創(chuàng)半導體有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過西安賽創(chuàng)半導體有限公司授權不得商用。
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