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本發明的實施例提供了封裝件結構及其形成方法。封裝件結構包括襯底和在襯底上方形成的半導體管芯。封裝件結構還包括覆蓋半導體管芯的封裝件層和在封裝件層中形成的導電結構。封裝件結構包括在導電結構上形成的第一絕緣層，并且第一絕緣層包括一價金屬氧化物。...該專利屬于臺灣積體電路制造股份有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過臺灣積體電路制造股份有限公司授權不得商用。
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本發明的實施例提供了封裝件結構及其形成方法。封裝件結構包括襯底和在襯底上方形成的半導體管芯。封裝件結構還包括覆蓋半導體管芯的封裝件層和在封裝件層中形成的導電結構。封裝件結構包括在導電結構上形成的第一絕緣層，并且第一絕緣層包括一價金屬氧化物。...