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本發明公開了一種半導體發光器件及其制備方法，包括一襯底；一緩沖層，生長于所述的襯底上；一n型層，生長于所述的緩沖層上；一V?pits延伸層，其為超晶格層，生長于所述的n型層上，以延伸V?pits的尺寸；一發光層，生長于所述的V?pits延伸...
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