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本發明的實施例提供了半導體結構及其制造方法。半導體結構包括襯底、至少一個第一柵極結構、至少一個第一間隔件、至少一個源漏結構和導電插塞。所述第一柵極結構位于所述襯底上。所述第一間隔件位于所述第一柵極結構的至少一個側壁上。所述源漏結構鄰近所述第...該專利屬于臺灣積體電路制造股份有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過臺灣積體電路制造股份有限公司授權不得商用。
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本發明的實施例提供了半導體結構及其制造方法。半導體結構包括襯底、至少一個第一柵極結構、至少一個第一間隔件、至少一個源漏結構和導電插塞。所述第一柵極結構位于所述襯底上。所述第一間隔件位于所述第一柵極結構的至少一個側壁上。所述源漏結構鄰近所述第...