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本本發(fā)明公開了一種超級結(jié)器件的制造方法，原胞區(qū)和終端區(qū)的結(jié)構(gòu)同時形成且包括步驟：提供表面形成有第一外延層的半導(dǎo)體襯底。光刻同時定義出原胞區(qū)和終端區(qū)的溝槽的形成區(qū)域并進(jìn)行第一次刻蝕形成溝槽；設(shè)置終端區(qū)的第二溝槽的寬度和間隔，使后續(xù)氧化工藝將第...該專利屬于上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司授權(quán)不得商用。