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本發明公開了一種單層石墨烯本征缺陷下的電導率計算方法。使用本發明能夠計算出完美石墨烯晶胞結構出現本征缺陷之后的結構與電子特性的改變，進而得到其電導率的變化情況。本發明首先建立單層石墨烯各類型本征缺陷的晶胞構型模型；然后利用第一性原理得到缺陷...
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