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本發(fā)明公開了一種新型全鈍化接觸晶體硅太陽能電池及其制備方法，包括晶體硅層，兩側(cè)各有一層超薄氧化硅鈍化層，在其正面還有混合相硅氧化物/納米晶硅層，反面還有本征氫化非晶硅、p型氫化非晶硅層，其兩側(cè)外還均有ITO層和Ag電極。本發(fā)明利用mp?Si...該專利屬于浙江師范大學(xué)所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過浙江師范大學(xué)授權(quán)不得商用。